硬質(zhì)材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀廠家

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀

GDAT-A

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

硬質(zhì)材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀廠家技術(shù)指標

1．Q值測量
a．Q值測量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c．標稱誤差

項    目GDAT-A

頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％

2．電感測量范圍：14.5nH~8.14H

3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀電容測量：1~ 460

項    目    GDAT-A

直接測量范圍
1～460pF     主電容調(diào)節(jié)范圍      準確度 30～500pF   150pF以下±1.5pF；   150pF以上±1％
注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍

項     目

GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz

塑料材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀廠家電感：

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
9         100KHz      98       9.4           25mH
8         400KHz     138       11.4        4.87mH
7         400KHz    202       16           0.99mH
6           1MHz     196       13          252μH
5           2MHz     198       8.7        49.8μH
4         4.5MHz    231       7             10μH
3          12MHz      193     6.9         2.49μH
2          12MHz      229     6.4        0.508μH 
1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。

雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計算機自動修正技術(shù)和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至低，治療 Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。

介電常數(shù)測試儀根據(jù)靜電學的研究成果， 真空中一個孤立的電荷q 會在其周圍產(chǎn)生電場E，當另外的一個試驗電荷q0 進入到該電場中時會受到電場力的作用。由電荷q 所產(chǎn)生的電場強度為：

其中， ε₀為真空中的介電常數(shù)；r 為距離點電荷q 的徑向距離。一般來說，電場強度是一個矢量。試驗電荷q0 在距電荷q的距離為r 的點上受到的電場力為：

根據(jù)力的反作用性質(zhì)，電荷q 也同樣受到試驗電荷q0所產(chǎn)生的電場的力的作用且作用力的大小相等方向相反。根據(jù)式(1) 可知，真空中的介電常數(shù)ε₀表征了孤立電荷q 在給定的距離r 上產(chǎn)生的電場強度的大小。如果將式(1) 中的真空條件換為某種電介質(zhì)， 則同樣的孤立電荷q 所產(chǎn)生的電場強度將可表示為：

其中，ε為該種電介質(zhì)的介電常數(shù)。在實際應用中，人們通常將真空中的介電常數(shù)ε₀選作一個參照，而將電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與ε₀的比值定義成為一個無量綱的相對介電常數(shù)ε_r，如式(4) 所示：

由于真空是一個理想的電介質(zhì)模型( 沒有原子、分子) ，所以，在實際電介質(zhì)中由于束縛電荷效應使原電荷q所產(chǎn)生的電場有所下降的情況在真空中不可能出現(xiàn)。因此, 針對實際電介質(zhì)的相對介電常數(shù)Er 總是滿足大于或等于1。

由式(3) 可見，介電常數(shù)ε表示了電荷q 在電介質(zhì)中所產(chǎn)生的電場強度的大小的一個制約因素( 除了距離之外，也是*的制約因素) 。顯然，這種推論在靜電場的情況下是*可以被接受的，但是若要將這一推論直接應用到交變電場的情況似乎還有些不充分。交變電場情況下電介質(zhì)的微觀表現(xiàn)機理與宏觀作用的研究取得了一些成果，但是仍然有待更加深入的研究，也是目前電介質(zhì)物理、量子物理的重要研究方向和內(nèi)容之一。

可以確認的是電介質(zhì)的介電常數(shù)所表征的屬性在交變電場的情況下也會對交變電場產(chǎn)生影響。比如，交變電場在電介質(zhì)中的傳播速度會降低, 頻率不變，波長會變短( 電磁傳播理論)并且介電常數(shù)越大，相應的改變也會越大。

標簽：介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀  高頻介電常數(shù)測試儀

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