介電常數(shù)測試儀主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（小于 10 mil）量測值偏低,。

詳細介紹

介電常數(shù)測試儀主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

介電常數(shù)測試儀特點：

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)測試儀儀器技術指標：

Q值測量：

a．Q值測量范圍：5～999。

b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動換檔。

c．標稱誤差

頻率范圍：25kHz～10MHz；

固有誤差：≤5％±

滿度值的2％；

工作誤差：≤7％±滿度值的2％；

頻率范圍：10MHz～50MHz；

固有誤差：≤7％±滿度值的2％；

工作誤差：≤10％±滿度值的2％。

振蕩頻率：

a．振蕩頻率范圍：

25kHz～50MHz；

b．頻率分檔

25～74kHz，

74～213kHz，

213-700kHz，

700kHz～1.95MHz，

1.95MHz～5.2MHz，

5.2MHz～17MHz，

17～50MHz。

電感測量：

a．測量范圍：0.1μH～1H。

b．分檔：分七個量程。

0.1～1μH，

1～10μH，

10～100μH，

0.1～lmH，

1～10mH，

10～100mH，

100 mH～1H。

電容測量：

a．測量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則)；

b．電容量調(diào)節(jié)范圍

主調(diào)電容器：40～500pF；

準確度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

微調(diào)電容量：－3pF～0～＋3pF；準確度：±0.2pF。

介電常數(shù)測試儀主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

介電常數(shù)測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。

同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。

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