介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量

Q值測(cè)量范圍：2～1023。

Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

項(xiàng) 目 GDAT-A
頻率范圍 20kHz～10MHz；

固有誤差 ≤5％±滿度值的2％；

工作誤差   ≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍   10MHz～60MHz；
固有誤差   ≤6％±滿度值的2％；
工作誤差   ≤8％±滿度值的2％。
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng) 目   GDAT-A
直接測(cè)量范圍； 1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度；30～500pF；150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目 GDAT-A
頻率范圍 10kHz～50MHz
頻率分段
（虛擬）10～99.9999kHz；100～999.999kHz；1～9.99999MHz；10～60MHz
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀使用方法：

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），如：1MHz 時(shí)電感取250uH，15MHz時(shí)電感取1.5uH。

d. 短按ON/OFF按鍵，打開液晶顯示屏。

e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使平板電容器二極片相接為止，長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4．介電常數(shù)Σ的測(cè)試
a. 再松開二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過緊或過松），這時(shí)能讀取的
北京市海淀區(qū)建材城西路50號(hào) ：
測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容
量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，
使Q 表再回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)：
Σ＝D2 / D4

5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試
a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。
把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)
上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調(diào)電容
容量，使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電
容讀數(shù)記為C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 －C1
d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)

?
式中：CZ 為測(cè)試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測(cè)試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）

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