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PCVD工藝的具體流程
PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進(jìn)氣體反應(yīng)的CVD技術(shù)。其特點(diǎn)包括：
1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進(jìn)行，因?yàn)榈入x子體提供的能量能夠促進(jìn)氣體反應(yīng)，降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率：等離子體增強(qiáng)了氣體反應(yīng)速率，從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質(zhì)量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。
4、適應(yīng)性強(qiáng)：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護(hù)涂層等領(lǐng)域。
5、控制性好：通過調(diào)整等離子體的參數(shù)（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì)。
PCVD工藝的流程：
(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進(jìn)高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計(jì)要求的光纖芯中玻璃的組成成分。
(2)熔縮。沿管子方向往返移動(dòng)的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實(shí)心棒(預(yù)制棒)。
(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進(jìn)行拉絲。
(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進(jìn)行雙層涂覆和紫外固化。
(5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試，以確定光纖的幾何、光學(xué)和機(jī)械性能。