 | 北京中航時(shí)代儀器設(shè)備有限公司 |
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詳細(xì)摘要：工頻電壓擊穿測(cè)定儀測(cè)試條件 ●常態(tài)實(shí)驗(yàn)條件：溫度為（20±5）℃，相對(duì)濕度為（65±5）%。 ●熱態(tài)實(shí)驗(yàn)或潮濕環(huán)境實(shí)驗(yàn)條件由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)予以規(guī)定。 ●實(shí)驗(yàn)媒質(zhì)：試樣應(yīng)盡量在接近測(cè)試材料的實(shí)際使用環(huán)境的媒質(zhì)中進(jìn)行，同時(shí)應(yīng)避免測(cè)試中發(fā)生閃絡(luò)，媒質(zhì)不應(yīng)與試樣發(fā)生反應(yīng)。（常用有變壓器油，硅油。） ●若要求在高溫下進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，可在任何設(shè)計(jì)合理的烘箱或熱的油浴中進(jìn)行。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥21000
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詳細(xì)摘要：擊穿電壓測(cè)試設(shè)備塑料擊穿的特點(diǎn)：塑料材料的擊穿過(guò)程，通常伴隨著熱擊穿與電擊穿，很難說(shuō)界定是某種擊穿。一般來(lái)說(shuō)，工作溫度高，散熱條件差，介質(zhì)電導(dǎo)及損耗大的材料，發(fā)生熱擊穿的幾率高。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥28000
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詳細(xì)摘要：擊穿強(qiáng)度測(cè)定儀電極必需是良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能；電極表面光滑并與試樣良好的接觸；板材或薄膜試樣一般用圓柱形銅或不銹鋼電極；管狀或型材試樣，一般要采用金屬箔或沉積金屬層，管狀試樣內(nèi)徑小時(shí)，可用彈性金屬片、金屬粉末以及導(dǎo)電液體等作為內(nèi)電極。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥19000
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詳細(xì)摘要：介電擊穿強(qiáng)度儀材料應(yīng)在為防止閃絡(luò)而選取的周圍煤質(zhì)中試驗(yàn),在大多數(shù)情況下,符合IEC60296:2003的變壓器油是適用的煤質(zhì).對(duì)在礦物油中會(huì)引起膨脹的材料,此時(shí)其他的流體(例如硅油),可能是更合適的. 對(duì)擊穿電壓值相對(duì)較低的試樣,可在空氣中試驗(yàn),此時(shí)若要在高溫下進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),應(yīng)注意即使在中等的試驗(yàn)電壓下,在電極邊緣的放電也會(huì)對(duì)測(cè)試值造成很大的影響. 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥25000
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詳細(xì)摘要：ZST-122涂層表面電阻率測(cè)定儀 表面電阻：在試樣的某一表面上兩電極間所加電壓與經(jīng) 過(guò)一定時(shí)間后流過(guò)兩電極間的電流之商；該電流主要為 流過(guò)試樣表層的電流，也包括一部分流過(guò)試樣體積的電 流成分。在兩電極間可能形成的極化忽略不計(jì)。 表面電阻率：在絕緣材料的表面層的直流電場(chǎng)強(qiáng)度與線 電流密度之商，即單位面積內(nèi)的表面電阻。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)長(zhǎng)陽(yáng)萬(wàn)興路86號(hào) 參考價(jià)：¥15000
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詳細(xì)摘要：絕緣材料電阻率試驗(yàn)儀 了解超高值絕緣電阻測(cè)試儀（簡(jiǎn)稱高阻儀）的測(cè)試原理和基本構(gòu)造。 掌握使用ZST-121型體積電阻率儀器測(cè)定體積電阻和表面電阻的方法。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)長(zhǎng)陽(yáng)萬(wàn)興路86號(hào) 參考價(jià)：¥15000
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詳細(xì)摘要：作為擊穿電壓測(cè)試儀（電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀）供應(yīng)商，我公司對(duì)所提供的產(chǎn)品均為廠家原廠原包裝，符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并提供產(chǎn)品技術(shù)資料(包含安裝說(shuō)明書，產(chǎn)品裝箱目錄、產(chǎn)品中文使用說(shuō)明書、合格證及保修憑證等)。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥21000
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗測(cè)定儀（介電常數(shù)測(cè)試）對(duì)電介質(zhì)施加交流電壓，介質(zhì)內(nèi)部流過(guò)的電流 相量與電壓相量之間的夾角的余角。 ? 介質(zhì)損耗角正切 對(duì)電介質(zhì)施以正弦波電壓,外施電壓與相 同頻率的電流之間相角的余角δ的正切值--tgδ. 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥18000
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀（阻抗分析儀）是指置于交流電場(chǎng)中的介質(zhì),以內(nèi)部發(fā)熱的形式表現(xiàn)出 來(lái)的能量損耗.介質(zhì)損耗角是指對(duì)介質(zhì)施加交流電壓時(shí),介質(zhì)內(nèi)部流過(guò)的電流相量與電壓向量之間的夾角的余角. 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥18000
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詳細(xì)摘要：擊穿強(qiáng)度測(cè)試設(shè)備（電氣擊穿測(cè)試裝置） v 固體介質(zhì)電擊穿的碰撞理論： ?強(qiáng)電場(chǎng)作用下，固體導(dǎo)帶中因冷或熱發(fā)射存在一些電子， 這些電子被加速，獲得動(dòng)能； ?高速電子與晶格振動(dòng)相互作用，把能量傳遞給晶格； ?一定溫度和場(chǎng)強(qiáng)下平衡時(shí)，固體介質(zhì)有穩(wěn)定的電導(dǎo)； ?當(dāng)電子從電場(chǎng)中獲得能量大于傳遞給晶格振動(dòng)能量時(shí)， 電子動(dòng)能越來(lái)越大； 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥19000
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀（介電性能測(cè)試儀）電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗功率，簡(jiǎn)稱電介質(zhì)損耗?；颍弘妶?chǎng)作用下的能量損耗，由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪?，如熱能、光能等，統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。它是導(dǎo)致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥18000
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詳細(xì)摘要：1.介質(zhì)的擊穿:當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)某一臨界值時(shí)，介質(zhì)由介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)。這種現(xiàn)象稱介電強(qiáng)度的破壞，或叫介質(zhì)的擊穿。 2.擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度:介質(zhì)的擊穿時(shí)，相應(yīng)的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度稱為介電強(qiáng)度，或稱為擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。 3.擊穿類型:熱擊穿，電擊穿，局部放電擊穿。耐電壓強(qiáng)度試驗(yàn)儀（介電強(qiáng)度測(cè)試儀） 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥18000
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詳細(xì)摘要：電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀（擊穿電壓測(cè)試儀）根據(jù)擊穿的發(fā)展過(guò)程，固體電介質(zhì)的擊穿可分為3種形式：電擊穿、熱擊穿和電化學(xué)擊穿，同一種電介質(zhì)中發(fā)生何種形式的擊穿，取決于不同的外界因素。隨著擊穿過(guò)程中固體電介質(zhì)內(nèi)部的變化，擊穿過(guò)程可以從一種形式轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N形式。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥21000
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詳細(xì)摘要：電壓擊穿試驗(yàn)儀（介電擊穿強(qiáng)度測(cè)試儀）是在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下原來(lái)處于熱運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的少數(shù)“自由電子“將沿反電場(chǎng)方向 定向運(yùn)動(dòng)。在其運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷撞擊介質(zhì)內(nèi)的離子，同時(shí)將其部分能量轉(zhuǎn)給這些離子，當(dāng)外加電壓足夠高是，自由電子定向運(yùn)動(dòng)的速度超過(guò)一定臨 界值可使介質(zhì)內(nèi)的離子電離出次級(jí)電子，這些電子都會(huì)從電場(chǎng)中吸取能量而加速，又撞擊出第三級(jí)電子，連鎖反應(yīng)將造成大量自由電子形成 “雪 崩“，導(dǎo)致介質(zhì)的擊穿，這個(gè)過(guò) 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥21000
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詳細(xì)摘要：薄膜塑料體積電阻率測(cè)定儀用于測(cè)量固體絕緣材料的絕緣電阻、表面電阻和體積電阻；該儀器具有測(cè)量精度高、性能穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，北京中航時(shí)代檢測(cè)儀器的最高量程10的16次方電阻值。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥15000
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詳細(xì)摘要：絕緣材料電阻率測(cè)試儀采用PLC控制，觸控屏顯示，測(cè)試過(guò)程全自動(dòng)，主要用于電工用塑料、層壓制品、薄膜等絕緣材料的表面電阻率、體積電阻率的測(cè)量。 產(chǎn)品型號(hào)：體積電阻所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥15000
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詳細(xì)摘要：高壓電橋介質(zhì)損耗測(cè)試儀（自動(dòng)介損儀）通過(guò)GB1409中的Q表法測(cè)試固體/液體絕緣材料介電常數(shù)及介質(zhì)損耗因數(shù)的分析儀器。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至低值，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量時(shí)更為精確。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥25000
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀符合標(biāo)準(zhǔn)： GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法； GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法； ASTM D150-11實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法； GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法； 產(chǎn)品型號(hào)：介電測(cè)試所在地： 參考價(jià)：¥18000
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詳細(xì)摘要：電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀試驗(yàn)電極：根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(1408.1-2006)隨設(shè)備提供電極，具體規(guī)格為：Ф25mm×25mm；Ф75mm×25mm。 產(chǎn)品型號(hào)：介電所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥17000
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詳細(xì)摘要：1. 介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀為高壓測(cè)試儀器，非熟練操作人員不能單獨(dú)使用此設(shè)備。 2. 電源/機(jī)殼應(yīng)保證良好接地。 3. 保證本設(shè)備使用環(huán)境的干燥，降低濕度可減小與周圍導(dǎo)體發(fā)生擊穿的可能。 產(chǎn)品型號(hào)：電壓所在地：北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào) 參考價(jià)：¥17000
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北京中航時(shí)代儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品：電壓擊穿試驗(yàn)儀-介電常數(shù)測(cè)試儀
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