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[供應(yīng)]薄膜及液體的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀器
產(chǎn)地：北京市房山區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)顧八路1號(hào)
更新時(shí)間：2024-11-25 09:59:08
有效期：2024年11月25日 -- 2025年2月23日
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QS37介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007
1.概 述
介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007?主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測(cè)量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tgd)和電容量( Cx)以，其測(cè)量線路采用“正接法"即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成，本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數(shù)（ε）。
2.技術(shù)指標(biāo)
2.1 測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn＝100pF | R4＝3183.2 | 即10K/π時(shí) |
測(cè)量項(xiàng)目 | 測(cè)量范圍 | 測(cè)量誤差 |
電容量Cx | 40pF--20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介質(zhì)損耗tg | 0～1 | ±1.5％tgx±0.0001 |
在Cn＝100pF | R4＝318.3 | 即1K/π時(shí) |
測(cè)量項(xiàng)目 | 測(cè)量范圍 | 測(cè)量誤差 |
電容量Cx | 4pF--2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介質(zhì)損耗tg | 0～0.1 | ±1.5％tgx±0.0001 |
2.2 電橋測(cè)量靈敏度
電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。
在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx) 式中：Ｕ為測(cè)量電壓 伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 | 皮法（pＦ） |
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10 | 安培（Ａ） |
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500 | 歐姆 |
Ｒ４橋臂R4電阻值3183 | 歐姆 |
Ｃｘ被測(cè)試品電容值 | 皮法（ｐF） |
2.3 電容量及介損顯示精度：
電容量 | ±0.5%×tgδx±0.0001 |
介 損 | ±0.5％tgx±1×10-4 |
2.4 輔橋的技術(shù)特性：
工作電壓 | ±12V，50Hz |
輸入阻抗 | 1012 |
輸出阻抗 | 0.6 |
放大倍數(shù) | 0.99 |
不失真跟蹤電壓 | 0～12V（有效值） |
2.5 指另裝置的技術(shù)特性：
工作電壓±12V
在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db
相關(guān)產(chǎn)品：
ZJD-C絕緣材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試儀GB1408
QS37塑料薄膜工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GB/T1693-2007
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