INVSc1 Chemically Competent Cell

產(chǎn)品規(guī)格

INVSc1 Competent Cell:                                      100μl/支              保存： -80℃（3個月）

pYES2 (control vector, 10 ng/μl)                              10μl               保存：-80℃（12個月）

Carrier DNA (10 μg/μl)                                             100μl              保存：-20℃（12個月）

PEG/LiAC:                                                                    5ml              保存：    4℃（12個月）

基因型

MATa his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52/MATα his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52 

產(chǎn)品說明

INVSc1菌株是專門用來做重組蛋白表達(dá)的宿主酵母，pYES2質(zhì)粒與INVSc1酵母配套使用，激活pYES2質(zhì)粒的GAL1啟動子的轉(zhuǎn)錄進(jìn)而啟動下游重組蛋白的表達(dá)。INVSc1為合子型，可直接通過PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進(jìn)入INVSc1細(xì)胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標(biāo)志為URA，可用SD-URA板進(jìn)行篩選。INVSc1感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作，-80℃可保存三個月，pYES2質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>10⁴ cfu/μg DNA。

操作方法

1. 取100 µl冰上融化的INVSc1感受態(tài)細(xì)胞，依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒2-5 µg，Carrier DNA (95-100℃，5 min，快速冰浴，重復(fù)一次) 10 µl，PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻，30℃水浴30 min (15 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。

2. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。

3. 5000 rpm離心 40 s棄上清，ddH₂O 400 µl 重懸，離心 30s棄上清。

4. ddH2O 50 µl重懸，涂質(zhì)粒篩選用：SD-U medium板，29℃培養(yǎng)48-96 h。

注意事項(xiàng)

1. 感受態(tài)細(xì)胞在冰上融化。

2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)?？上鄳?yīng)減少終用于涂板的菌量。

3. INVSc1酵母菌株對高溫敏感，適生長溫度為27-30℃；高于31℃，生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。