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當前位置:上海信裕生物科技有限公司>>細胞系>>感受態(tài)細胞>> R5421 Chemically Competent Cell
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海
更新時間:2020-09-02 17:09:05瀏覽次數(shù):609次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)DH5α Chemically Competent Cell
XL10-Gold Chemically Competent Cell
DB3.1 Electroporation-Competent Cel
DB3.1 Chemically Competent Cell
純度 | 99.99% | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
---|---|---|---|
規(guī)格 | 100μl/支 | 貨號 | XY9083 |
應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)業(yè) | 主要用途 | R5421釀酒酵母菌株為K+/鉀離子缺陷型菌株,在文獻中也稱為CY162,MAT |
R5421 Chemically Competent Cell
產(chǎn)品規(guī)格 (CAT#: YC1080)
R5421 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個月)
pGADT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個月)
基因型
MATα ura3-52 leu2 trk1Δ his3Δ200 his4-15 trk2Δ1::pCK64
R5421 Chemically Competent Cell產(chǎn)品說明
R5421釀酒酵母菌株為K+/鉀離子缺陷型菌株,在文獻中也稱為CY162,MATα型,多用于K+/鉀離子轉運蛋白的鑒定試驗中,也可用于K+/鉀離子通道或鈉鉀離子泵的鑒定試驗。Transformation marker為:ura3,leu2,該菌株可以在含有100mM KCl的培養(yǎng)基中國正常生長,在含有5-10mM KCl的培養(yǎng)基中生長緩慢,當培養(yǎng)基中KCl濃度低于0.5mM,R5421(CY162)細胞停止生長。R5421感受態(tài)細胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個月,pGADT7質(zhì)粒檢測轉化效率>103 cfu/μg DNA。
操作方法
1. Carrier DNA 在每次使用前要通過加熱處理使其變性為單鏈狀態(tài),步驟如下:Carrier DNA 放95℃水浴或金屬浴3 min,快速插入冰中,靜置3 min,再次放95℃水浴或金屬浴3 min,快速插入冰中,靜置3 min以上。
2. 取100 µl冰上融化的R5421感受態(tài)細胞,依次加入預冷的目的質(zhì)粒0.5-3 µg,Carrier DNA10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻,30℃水浴30 min (15 min時翻轉6-8次混勻)。
3. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉6-8次混勻)。
4. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 µl 重懸,離心 30s棄上清。
5. ddH2O 50 µl重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96 h。
注意事項
1. 感受態(tài)細胞在冰上融化。
2. 轉化高濃度的質(zhì)??上鄳獪p少終用于涂板的菌量。
3. 同時轉化2-3種質(zhì)粒時可增加質(zhì)粒的用量。
4. R5421酵母菌株對高溫敏感,適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉化效率呈指數(shù)下降。
5. 菌落變粉不是污染,是酵母細胞生長中一個常見現(xiàn)象。當細胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。
6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克??;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆。
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