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獵戶座 3100S

AMC空氣分子污染物監(jiān)測系統(tǒng)

一、AMC空氣分子污染物監(jiān)測系統(tǒng) 3100S產品介紹：

1、實踐證明深紫外光刻工藝深受多種類微量污染物的影響，對很多微量污染物極為敏感，比如氨氣或者酸性氣體都會給半導體生產帶來較大的危害，盡管隨著深紫外耐腐蝕材料技術的發(fā)展，已經減少了長時間持續(xù)實時監(jiān)測，而實際上空氣分子污染（AMC）的實時測量對產品質量的好壞至關重要。

2、獵戶座3100S系列空氣分子污染物監(jiān)測系統(tǒng)基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術連續(xù)分析儀器，將增加半導體器件阻抗一致性、保證更長的過濾器壽命、減少生產過程的停工時間。

3、ETG HMI（人機交互界面）軟件可以實時觀察、實時測量、實時操作對不同空間不同位置的NH₃、HCL、HF進行分析，軟件專門針對半導體行業(yè)開發(fā)，對于深紫外光刻工藝過程中監(jiān)測與控制空氣分子污染（AMC）提供有力的支持，軟件集成了多點采樣（MS）控制功能，具有實時顯示數(shù)據(jù)曲線、報警、存儲、趨勢、歷史曲線、分析等功能。

二、AMC在線監(jiān)測 獵戶座 3100S 系統(tǒng)介紹：

1、實時監(jiān)測空氣分子污染（AMC）對于半導體生產過程極為重要。

2、快速監(jiān)測、報警、極低濃度測量、寬測量區(qū)域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業(yè)要求之一。

3、深紫外光刻工藝特別關注氨、胺類、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸類等濃度測量，當這些氣體與化學放大光刻膠反生反應時，將深深的影響半導體器件質量。

4、傳統(tǒng)古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學熒光法，這些方法分析速度太慢，操作過程太復雜，昂貴并且測量結果不準確。

5、ETG采用被證明的CEAS（腔增強吸收光譜）技術解決AMC（空氣分子污染物）監(jiān)測難題，可快速測量痕量級NH₃、HCL、HF，采用脈沖熒光法測量SO₂，采用增強型GC-FID測量VOCs。

6、獵戶座 3100S系列空氣分子污染物監(jiān)測系統(tǒng)測量痕量級NH₃、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性，是半導體行業(yè)潔凈室AMC（空氣分子污染）測量的有力工具。

7、獵戶座 3100S也集成了多點監(jiān)測系統(tǒng)，可依序將氣體抽送到分析儀或傳感器，并讀出測量結果。獵戶座 3100S內嵌的報警、報告、分析軟件是由多年半導體行業(yè)經驗的工程師集體開發(fā)。

8、獵戶座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模擬模塊可以輸出來自4~6臺分析儀或傳感器的數(shù)據(jù)。

9、每臺分析儀配有內置計算機（Linux OS），可進行數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)輸出，還支持遠程網(wǎng)絡控制，通過互聯(lián)網(wǎng)可以連接ETG公司總部或者當?shù)亟涗N商服務商，進行操作或者診斷。

10、使用者可以通過網(wǎng)絡瀏覽器比如IE、Chrome等世界任意可以聯(lián)網(wǎng)的地方進行操作，遠程操作可實現(xiàn)多級管理權限控制和操作。

獵戶座 3100S 系統(tǒng)配置圖如下

三、產品特點：

1、增強靈敏度

儀器基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術，極簡使用、便捷操作，所有部件（包括內置真空泵、鍵盤、鼠標、顯示器等）幾分鐘內可開始記錄數(shù)據(jù)，其他大氣中的水汽、CO₂、O₂、甲烷等不會對HCL、HF、NH₃等測量構成交叉干擾。內置計算機可以存儲大量數(shù)據(jù)到內置硬盤上，可同過數(shù)字接口或者模擬接口傳輸數(shù)據(jù)，可通過互聯(lián)網(wǎng)遠程存儲或記錄數(shù)據(jù)，高質量的數(shù)據(jù)庫，適合于苛刻的半導體痕量級氣體應用。

2、檢測限/精度 (1-σ)  :HCl 0.1 ppb ; HF 0.1 pp ; NH₃ < 0.1 ppb

快速響應時間

每個通道5秒

系統(tǒng)即插即用

系統(tǒng)可在潔凈間幾分鐘內簡單操作完成

低成本，因CEAS（腔增強吸收光譜）系統(tǒng)不需要特別的維護保養(yǎng)和備品備件，所以很好的降低了使用者成本。

四、CEAS（腔增強吸收光譜）---原理

基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術的儀器原理圖，使用近紅外波段光進行高靈敏度吸收測量，測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構成，激光束經過固態(tài)校準器（FSR=2.00GHz）時會測量得到相對激光波長。為了保證清晰度，忽略了原本照射到左側測量單元腔鏡外的光束。