日立新型高分辨場發(fā)射掃描電鏡
日立新推出的高分辨場發(fā)射掃描電鏡，1kv的分辨率提升到1.3nm，并在探測器設計上有新的突破，配置了Lower、Up-per和Top三個Everhart-Thornley型探測器，可以接受SE、LA-BSE和HA-BSE多種信號，實現(xiàn)微區(qū)的形貌襯度、原子序數(shù)襯度、結晶襯度和電位襯度的觀測；結合選配的STEM探測器，還可以實現(xiàn)明場像和暗場像的觀測；此外在半導體應用中，還可以安裝EBIC探測器，采集感生電流圖像，極大豐富了信號的采集，對樣品的信息的收集達到了新的高度。

技術特點：
1. 優(yōu)秀的低加速電壓成像能力，1kv分辨率可達1.3nm
2. 日立的ExB設計，不需噴鍍，可以直接觀測不導電樣品
3. 配置Lower、Upper和Top三個Everhart-Thornley型探測器
4. Upper和Top探頭均可選擇接受二次電子像或背散射電子像
5. 可以根據(jù)樣品類型和觀測要求選擇打開或關閉減速功能
6. 標配有冷指、電子槍內(nèi)置加熱器，物鏡光闌具有自清潔功能
7. 儀器的烘烤維護及烘烤后的透鏡機械對中均可由用戶自行完成