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目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>光電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)>> TF Analyzer 3000鐵電壓電分析儀

TF Analyzer 3000鐵電壓電分析儀
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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

應(yīng)用領(lǐng)域:電子,冶金,航天,電氣

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更新時(shí)間:2024-10-21 14:51:46瀏覽次數(shù):1366評(píng)價(jià)

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應(yīng)用領(lǐng)域 電子,冶金,航天,電氣
TF Analyzer 3000鐵電壓電分析儀

TF ANALYZER 3000E是一款擴(kuò)展性的高速型模塊化鐵電壓電分析儀,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用,可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

TF Analyzer 3000鐵電壓電分析儀 

TF ANALYZER 3000E是一款擴(kuò)展性的高速型模塊化鐵電壓電分析儀,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用,可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

模塊化設(shè)計(jì)的TF Analyzer 3000具有優(yōu)異的擴(kuò)展性。

· FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試;

· MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試;

· RX模塊-弛豫電流測(cè)試;

· DR模塊-自放電測(cè)試。

TF2000.png

測(cè)試基本單元:包括內(nèi)置完整的專(zhuān)用計(jì)算機(jī)主機(jī)和測(cè)試版路、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等,Windows 7 操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專(zhuān)用測(cè)試軟件等。

FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能:
Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率(增強(qiáng)型FE模塊250kHz,高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz); 
Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試; 
PUND 脈沖測(cè)試;
Fatigue 疲勞測(cè)試;
Retention 保持力;
Imprint 印跡;
Leakage current漏電流測(cè)試;
Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能。

FE模塊可選測(cè)試功能:
C-V curve電容-電壓曲線(xiàn); 
Piezo Measurement壓電性能測(cè)試; 
Pyroelectric Measurement熱釋電性能測(cè)試; 
In-situ Compensation 原位補(bǔ)償;
DLCC 動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能;
Impedance Measurement 阻抗測(cè)試 (僅適用于高速增強(qiáng)型)。

技術(shù)說(shuō)明:
電壓范圍: +/- 25 V(可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/- 10KV); 
電滯頻率:增強(qiáng)型FE模塊250kHz,高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz;
最小脈沖寬度:50ns
最小上升時(shí)間:10ns;
最大疲勞頻率:16MHz;
電流放大范圍:1pA1A;
最大負(fù)荷電容:1nF
輸出電流峰值:+/-1 A。

可擴(kuò)展部件:
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS、阻抗分析儀等。

TF3000.png



MR模塊是用來(lái)研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試,樣品上的電壓降通過(guò)高精度四點(diǎn)測(cè)試。

RX模塊是用來(lái)研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的,即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開(kāi),并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。

DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用,TF Analyzer 3000提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道,大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。

以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。

 


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