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說說AI6000R介損測試儀特點及技術(shù)參數(shù)
AI6000R介損測試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場或?qū)嶒炇覝y試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的精度測試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損測試電橋，可變頻調(diào)壓電源，升壓變壓器和SF6 穩(wěn)定度標準電容器。測試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生，經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?/span>50Hz、47.5Hz\52.5Hz、45Hz\55Hz、60Hz、57.5Hz\62.5Hz、55Hz\65Hz，采用數(shù)字陷波技術(shù)，避開了工頻電場對測試的干擾，從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發(fā)電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質(zhì)損耗。
AI6000R介損測試儀儀器主要具有如下特點：
- 絕緣電阻測試
儀器集成絕緣電阻測試模塊，可進行極化指數(shù)、吸收比以及絕緣電阻的測試。
- LCR全自動測量
全自動電感、電容、電阻測量，角度顯示。
- 多種測試模式
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標準、外標準、正接法、反接法、自激法等多種方式測試；在外標準外高壓情況下可以做高電壓（大于10kV）介質(zhì)損耗。
- CVT測試一步到位
該儀器還可以測試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量，實現(xiàn)了C1、C2的同時測試。該儀器還可以測試CVT變比和電壓角差。
- 不拆高壓引線測量CVT
儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。
- CVT反接屏蔽法測量C0
儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。
- 多重保護安全可靠
儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護措施，保證了儀器安全、可靠。儀器還具備設(shè)置接地檢測功能，確保不接地設(shè)備不允許升壓。
- 高速采樣信號
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制，輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
- 海量存儲數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲器，保存數(shù)據(jù)200組，能將檢測結(jié)果按時間順序保存，隨時可以查看歷史記錄，并可以打印輸出。
- 超大液晶中文顯示
操作簡單，儀器配備了全觸摸液晶顯示屏，超大全觸摸操作界面，每過程都非常清晰明了，操作人員不需要額外的專業(yè)培訓(xùn)就能使用。輕輕點擊一下就能完成整個過程的測量，是目前非常理想的智能型介損測量設(shè)備。
二 工作原理
在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ，ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路(Cx)，如圖2—1所示。標準回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標準電容器與測量線路組成，被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過測量電路分別測得標準回路電流與被試回路電流幅值及其相位差，再由數(shù)字信號處理器運用數(shù)字化實時采集方法，通過矢量運算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施，保證在外電場干擾下準確測量。
三 主要技術(shù)參數(shù)
1 | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH＜80% | |||||||
2 | 抗干擾原理 | 變頻法 | ||||||||
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機 | |||||||
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | 精度：2% | ||||||
大電流 | 200mA | 容量 | 2000VA | |||||||
45HZ/55HZ 47.5HZ/52.5HZ 55HZ/65HZ 57.5HZ/62.5HZ 自動雙變頻 | ||||||||||
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | ||||||||
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.001pF | |||||||
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) | ||||||||
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF) | ||||||||||
8 | 測量范圍 | tgδ | 無限制 | |||||||
C x | 15pF ＜ Cx ＜ 300nF | |||||||||
10KV | Cx ＜ 60 nF | |||||||||
1KV | Cx ＜ 300 nF | |||||||||
CVT測試 | Cx ＜ 300 nF | |||||||||
9 | LCR測量范圍 | L>20H（2kV） | R>10KΩ（2kV） | |||||||
精度：0.1% | 分辨率：0.01 | |||||||||
10 | CVT變比范圍 | 10∽10000 精度0.1% | 分辨率：0.01 | |||||||
11 | 絕緣電阻 | 直流高壓0.5-10KV 精度：±（讀數(shù)×2%+10V） | ||||||||
100kΩ-1000GΩ時低于5%（試驗電壓不低于250V） | ||||||||||
100GΩ-1000GΩ時為10%（試驗電壓不低于10000V） | ||||||||||
12 | 外型尺寸（主機） | 350（L）×270（W）×270（H） | ||||||||
外型尺寸(附件箱) | 350（L）×270（W）×160（H） | |||||||||
13 | 存儲器大小 | 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲 | ||||||||
14 | 重量（主機）：22.75Kg | 重量（附件箱）：5.25Kg | ||||||||