晶圓相位差測量儀PA-110-t?，zui大可測8英寸Wafer    藍寶石、SiC晶圓等結(jié)晶缺陷的評估

   藍寶石或SiC等透明晶圓的結(jié)晶缺陷，會直接影響到產(chǎn)品的性能，所以缺陷的檢測和管理，是制造過程中不可欠缺的重要環(huán)節(jié)。  目前為止，產(chǎn)線上的缺陷管理，多是使用偏光片，以目視方式進行缺陷檢測，但是，這樣的檢查方式，因無法將缺陷量化，當(dāng)各批量間產(chǎn)生變動或者缺陷密度緩慢增加時，就無法以目視檢查的方式正確找出缺陷。

    晶圓相位差測量儀PA-110-t? 將特殊的高速偏光感應(yīng)器與XY stage 結(jié)合起來， 8英寸晶圓僅需5分鐘，即可取得整面的雙折射分布資料。

    所以由定量化的結(jié)晶缺陷評估，提高雙折射品質(zhì)的穩(wěn)定性。

         Wafer整面的雙折射數(shù)據(jù)，可將結(jié)晶缺陷程度數(shù)值化。

晶圓相位差測量儀PA-110-t? 特點

1，   XY自動Stage 拼貼功能

針對大尺寸的Wafer 數(shù)據(jù)，以拼貼方式自動合成。

2，   使用大口徑遠心鏡頭

以垂直光線進行測量，因不受視角影響，連周邊區(qū)域都可高精度測量。

測量原理

        當(dāng)光線穿透雙折射特性的透明物質(zhì)時，光的偏光狀態(tài)會產(chǎn)生變化（光彈性效應(yīng)）。換句話說，比較光穿透透明物體前與后的偏光狀態(tài)，即可評估物質(zhì)的雙折射。

     該設(shè)備裝配的偏光感應(yīng)器，使用了本司*的Photonic結(jié)晶組裝而成， 能瞬間將偏光信息以影像方式保存，  再搭配專屬的演算，影像處理軟件，能將雙折射分布數(shù)據(jù)定量化，使得分析變得更加便利。

可觀察的晶圓尺寸與貼合影響

    自動影響貼合功能，zui大可觀察8英寸Wafer

 φ 8 inch（4×5）

設(shè)備規(guī)格     PA-110-t