硅碳棒使用說(shuō)明

 隨著工業(yè)發(fā)展的需求，硅碳棒的使用較為廣泛，由于硅碳棒使用溫度高，具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、升溫快、壽命長(zhǎng)、高溫變形小、安裝維修方便等特點(diǎn)，且有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。在使用時(shí)硅碳棒使用須知有一下幾點(diǎn)：

 1、硅碳棒使用前上應(yīng)先檢查右端部所標(biāo)高溫電阻值。如字跡不清，須重新測(cè)試。方法是將硅碳棒通電加熱升溫到1000-1100℃，記下該溫度下的電壓，電流，以歐母定律R=V/I求出電阻值。

 2、硅碳棒是在高溫下使用的，所以電爐所用硅碳棒的配阻都是以上述方法測(cè)得電阻值為依據(jù)，用萬(wàn)用表測(cè)得的硅碳棒常溫電阻不能作為配阻依據(jù)，因?yàn)楣杼及舻母邷睾统仉娮柚畣?wèn)沒(méi)有確定的關(guān)聯(lián)關(guān)系。

 3、硅碳棒使用時(shí)，單支直接接入電源的情況很少，一般是多支組合后接入電源，這稱為配阻。電阻值允差應(yīng)<0.2Ω

 4、硅碳棒在使用過(guò)程中，會(huì)因緩慢氧化而使電阻值增大，這種現(xiàn)象叫做老化現(xiàn)象，棒體老化后會(huì)成爐溫降低，以致達(dá)不到升溫要求，這時(shí)可提高電壓，當(dāng)電壓調(diào)整到大值仍不能滿足升溫要求時(shí)，可采用改變接線的方法來(lái)繼續(xù)提高電壓。因此，一般來(lái)講電爐都應(yīng)配有調(diào)壓設(shè)備，指示儀表和溫度控制裝置。

 5、硅碳棒安裝時(shí)，棒在裝棒孔內(nèi)要有較大自由活動(dòng)余地，U型硅碳棒的安裝孔一般為元件冷端部直徑的1.5倍，且兩孔同心，孔與孔之間距離不小于元件直徑的3倍。元件端頭之間接線應(yīng)以軟線鏈接，元件與壁爐，被燒物的距離不小于元件直徑的2倍。否則，以免，爐子在熱變形過(guò)程造成斷棒。

 6、送電時(shí)，電壓應(yīng)逐步加大，一般開(kāi)始時(shí)電壓為額定電壓的一半為宜，防止升溫過(guò)快，導(dǎo)致斷棒。切忌超負(fù)荷運(yùn)行。

 7、在使用過(guò)程中，硅碳棒盡可能并聯(lián)，如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷集中，導(dǎo)致某一個(gè)硅碳棒電阻快速增加，壽命變短。因故斷棒或因老化需補(bǔ)裝新捧時(shí)，一定耍注意配阻，以達(dá)到功率平衡。當(dāng)棒整體老化時(shí)，是全部配阻換新棒，舊棒可待將來(lái)補(bǔ)換時(shí)再用。

 8、在使用過(guò)程中應(yīng)遵守電爐升溫規(guī)范緩慢升溫。嚴(yán)格控制棒體表面負(fù)荷。切忌超負(fù)荷運(yùn)行。下表是在相應(yīng)爐溫下允許的碳棒表面負(fù)荷(也稱表面負(fù)荷密度)參數(shù)。

硅碳棒發(fā)熱部表面溫度	爐膛溫度（℃）	許大表面負(fù)荷（w/cm²）
1450	1000	31
1450	1100	24
1450	1200	21
1450	1250	18
1450	1300	14
1450	1350	10
1450	1400	6

 9、新?tīng)t或從未使用的電爐(窯)，在使用前必須先烘爐，烘爐時(shí)用舊捧或其他熱源，切勿用新棒烘爐。被加熱工件不能含有過(guò)高的水分，應(yīng)預(yù)先干燥，以免影響棒的壽命。如果新窯或長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)使用的窯爐用要用舊棒進(jìn)行烘窯，切忌用新棒烘窯。

 10、硅碳棒應(yīng)存放于干燥處，以防噴鋁部位受潮變黑。如果噴鋁變黑可用砂紙清除，再用夾子夾緊。

 11、硅碳棒系陶瓷產(chǎn)品，性脆，在運(yùn)愉、開(kāi)箱、安裝更換時(shí)，要小心輕拿、輕放，以防打碎。

 12、選用碳化硅電熱元件，必須保證元件的發(fā)熱部長(zhǎng)度不大于爐膛的寬度（U型硅碳棒發(fā)熱長(zhǎng)度不大于爐膛高度）。

 13連續(xù)使用，連續(xù)使用可以提高棒的壽命。

 14、在氫氣中使用，棒體會(huì)變脆縮短壽命。硅碳棒在不同氣氛下的使用溫度和表面負(fù)荷，元件的使用溫度因環(huán)境氣氛而定。

氣氛	爐溫（℃）	表面負(fù)荷 （W/cm2）	對(duì)元件的影響	解決辦法
氨	1290	3.8	與SiC作用生成甲烷減少SiO2保護(hù)膜	露點(diǎn)激活
CO?	1450	3.1	腐蝕碳化硅	用石英管保護(hù)
18%CO	1500	4.0	無(wú)影響
20%CO	130	3.8	吸附碳粒影響SiO2保護(hù)膜
鹵素	704	3.8	腐蝕碳化硅減少SiO2保護(hù)膜	用石英管保護(hù)
碳?xì)浠衔?/span>	1310	3.1	吸附碳粒致熱污染，分解的碳沉積，易造成電氣故障	送進(jìn)充分的空氣
氫	1290	3.1	與SiC作用反應(yīng)生成甲烷，減少SiC2保護(hù)膜	露點(diǎn)激活
甲烷	1370	3.1	吸附碳粒致熱污染
N	1370	3.1	與SiC反應(yīng)形成氮化硅絕緣層
Na	1310	3.8	侵蝕碳化硅	用石英管保護(hù)
SO2	1310	3.8	侵蝕碳化硅	用石英管保護(hù)
真空	1204	3.8
氧	1310	3.8	碳化硅被氧化
水（不同含量）	1090-1370	3.1-3.6	與SiC作用生成硅的水化物

 15、硅碳棒與堿金屬、堿、硅酸鹽、硼化物等接觸會(huì)產(chǎn)生腐蝕，所以要避免他們與棒體接觸。
 16、接線應(yīng)與棒體冷端的鋁頭緊密接觸。

 17、使用過(guò)程中，如發(fā)現(xiàn)斷裂或白炙現(xiàn)象，應(yīng)及時(shí)更新?lián)Q新棒，以免影響其他棒的使用壽命。