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DDR3、DDR4和DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類(lèi)型的名稱(chēng)，代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率（Double Data Rate，簡(jiǎn)稱(chēng)DDR）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。

一、不同內(nèi)存類(lèi)型具有不同的技術(shù)規(guī)格和性能。

       DDR3是目前較為常見(jiàn)的內(nèi)存類(lèi)型之一，它的傳輸速率在800 MHz至2133 MHz之間。

       DDR4相對(duì)于DDR3提高了傳輸速率和帶寬，高可達(dá)3200 MHz，同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)更低的電壓和更低的功耗。

       而DDR5是目前新的內(nèi)存類(lèi)型，可以提供更高的傳輸速率和更高的帶寬，可以達(dá)到8400 MHz的傳輸速率，同時(shí)還支持更高的容量、更高的帶寬和更高的數(shù)據(jù)完整性。

DDR3內(nèi)存

        DDR3是目前較為常見(jiàn)的內(nèi)存類(lèi)型之一，它的傳輸速率在800 MHz至2133 MHz之間。其特點(diǎn)如下：

（1）速度和帶寬提升：DDR3相對(duì)于DDR2在速度和帶寬方面有了顯著的提升。DDR3的內(nèi)部時(shí)鐘速度更高，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，帶寬更大，因此可以提供更高的數(shù)據(jù)傳輸性能。

（2）低功耗：DDR3的工作電壓較DDR2更低，通常為1.5V，這有助于減少電能消耗和熱量產(chǎn)生。低功耗也使得DDR3在移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦等對(duì)電池壽命和散熱要求較高的場(chǎng)景中更具優(yōu)勢(shì)。

（3）高容量支持：DDR3支持更大的內(nèi)存容量，可以提供更多的存儲(chǔ)空間。這對(duì)于需要處理大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序和任務(wù)來(lái)說(shuō)非常重要，如圖形處理、視頻編輯和虛擬化等。

（4）高頻率和時(shí)序：DDR3內(nèi)存的頻率范圍通常從800MHz到2133MHz，可以根據(jù)需求選擇不同的頻率。此外，DDR3還引入了更嚴(yán)格的時(shí)序要求，以確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定和可靠傳輸。

（5）向后兼容性：DDR3內(nèi)存插槽通常是不兼容DDR2或DDR的，但DDR3內(nèi)存模塊可以在DDR3兼容的主板上與較早的DDR2或DDR插槽一起使用。然而，需要注意的是，內(nèi)存模塊將以較低的速度和時(shí)序運(yùn)行，以適應(yīng)較低的標(biāo)準(zhǔn)。

       DDR4和DDR5相對(duì)于DDR3都提供了更高的性能和效率。然而，它們需要配備相應(yīng)的主板和處理器才能正常運(yùn)行，并且價(jià)格相對(duì)較高。選擇哪種內(nèi)存類(lèi)型取決于您的具體需求和預(yù)算。如果您的計(jì)算機(jī)用途較為簡(jiǎn)單，DDR3內(nèi)存已經(jīng)足夠滿(mǎn)足您的需求，但如果您需要更高的性能和更多的擴(kuò)展空間，可以選擇DDR4或DDR5內(nèi)存。比較重要的是，DDR3、DDR4和DDR5的內(nèi)存都是不能混用的。

二、泰克8GHz示波器自動(dòng)測(cè)試顯卡DDR3解決方案

          通過(guò) 6 系列 MSO 上的 DDR3/LPDDR3 自動(dòng)符合性套件（選件 6-CMDDR3）和 DDR3/LPDDR3 測(cè)量與分析功能（選件 6-DBDDR3），更深入地了解存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)。通過(guò)集成 DDR 軟件、示波器、高性能模擬和數(shù)字探頭，您可以詳細(xì)準(zhǔn)確地測(cè)量 DDR 設(shè)計(jì)的幅度、定時(shí)和眼圖，檢驗(yàn)其是否滿(mǎn)足聯(lián)合電子器件工程協(xié)會(huì) (JEDEC) 的電氣和定時(shí)規(guī)范。數(shù)字探頭可幫助了解 DDR 總線的控制信號(hào)。6 系列 MSO 中的 12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器以業(yè)內(nèi)超低的噪聲提供了高度精準(zhǔn)的測(cè)量數(shù)據(jù)，您可以實(shí)現(xiàn)全新的調(diào)試效率和測(cè)量可靠性。

（一）主要功能

1、按照規(guī)范完成對(duì) DDR3 和 LPDDR3 測(cè)量的測(cè)試覆蓋范圍和全自動(dòng)符合性測(cè)試，包括數(shù)據(jù)和時(shí)鐘的眼圖測(cè)試。

2、能夠同時(shí)定義讀搜索和寫(xiě)搜索，并在長(zhǎng)記錄長(zhǎng)度上對(duì)符合條件的突發(fā)執(zhí)行特定的 DDR 測(cè)量。

3、能夠按照規(guī)范為每個(gè)測(cè)量設(shè)置電壓閾值水平。

4、用于配置和執(zhí)行 DDR 電氣驗(yàn)證的直觀用戶(hù)界面和工作流程。

5、輕松在示波器上從符合性測(cè)試環(huán)境切換到調(diào)試環(huán)境，以便更深入地了解測(cè)試故障。

6、有選擇地在符合性測(cè)試套件內(nèi)保存設(shè)置文件，從而能夠在執(zhí)行后調(diào)出示波器狀態(tài)。

7、自動(dòng)生成報(bào)告，以 .MHT、.CSV 或 .PDF 文件格式保存測(cè)量數(shù)據(jù)、測(cè)試結(jié)果和波形圖像。CSV 格式可幫助根據(jù)用戶(hù)的需求解析和自定義測(cè)試報(bào)告

     支持不同內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)使用的各種插補(bǔ)器，擁有同類(lèi)優(yōu)秀的探頭，滿(mǎn)足信號(hào)完整性要求。

（二）使用選件 6-CMDDR3 完成 DDR3/LPDDR3 自動(dòng)測(cè)試

       選件 6-CMDDR3 解決方案讓您可以執(zhí)行自動(dòng)化 DDR3 和 LPDDR3 符合性測(cè)試。此解決方案與選件 6-DBDDR3 結(jié)合使用，可添加和配置特定的測(cè)量以及在分析后提取結(jié)果。這有助于用戶(hù)避免手動(dòng)保存和調(diào)出示波器設(shè)置文件。python 排序器可快速執(zhí)行 100 個(gè)以上的測(cè)量，確?？焖偻瓿蓽y(cè)試驗(yàn)證。

       DUT 面板用于選擇設(shè)備類(lèi)型和設(shè)備配置文件（包括 DDR 設(shè)備支持的速度等級(jí)）以及配置 Vdd 和 Vref 設(shè)置。

6-CMDDR3 DUT 面板

       用戶(hù)可以選擇提供與信號(hào)路徑中使用的硬件組件相關(guān)的濾波器文件 (.flt)，從而使用示波器 MATH 子系統(tǒng)在分析前從采集的信號(hào)中去除嵌入。

       DDR 信號(hào)在本質(zhì)上是突發(fā)信號(hào)。對(duì)于 DDR 測(cè)試，第（1）步是分隔和限定有效的讀突發(fā)和寫(xiě)突發(fā)。然后對(duì)這些符合條件的突發(fā)執(zhí)行測(cè)量。

       DUT 面板為用戶(hù)提供了幾種突發(fā)檢測(cè)方法：

1、DQ/DQS 相位校準(zhǔn)

2、使用片選信號(hào)進(jìn)行 DQ/DQS 相位校準(zhǔn)

3、邏輯探頭和突發(fā)脈沖延遲

     根據(jù)探測(cè)機(jī)制，用戶(hù)可以選擇信號(hào)類(lèi)型設(shè)置，這有助于在執(zhí)行期間相應(yīng)地配置信號(hào)源。

     通過(guò)使用探頭模式，用戶(hù)可以更改探頭配置。

     選件 6-CMDDR3 可支持 DUT 面板中的“信號(hào)調(diào)試"模式。此模式可幫助用戶(hù)手動(dòng)配置示波器設(shè)置，而不會(huì)被自動(dòng)化軟件覆蓋設(shè)置。在此模式中，用戶(hù)可以提供“通道"、“參考"或“MATH"作為軟件的輸入。

      測(cè)試選擇面板將 DDR 測(cè)量列為邏輯組，具體取決于在 DUT 面板中選擇的信號(hào)類(lèi)型。這可幫助用戶(hù)自動(dòng)完成測(cè)量，而無(wú)需手動(dòng)干預(yù)。支持對(duì)數(shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)的眼圖測(cè)試，這超出了合格性要求，使用戶(hù)可以更深入地了解存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)。

運(yùn)行 DDR3 時(shí)鐘眼圖的 6-CMDDR3

      執(zhí)行完成后，軟件會(huì)生成詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告，其中包含設(shè)置信息、測(cè)試摘要和詳細(xì)結(jié)果，包括通過(guò)失敗狀態(tài)、限制和測(cè)試特定圖像。

含有 DDR3 眼圖測(cè)試結(jié)果的 6-CMDDR3 報(bào)告文件

      為了調(diào)試測(cè)試錯(cuò)誤，泰克提供已集成在示波器測(cè)量子系統(tǒng)中的 6-DBDDR3 測(cè)量包，幫助用戶(hù)輕松配置和測(cè)試其存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)。

（三）使用選件 6-DBDDR3 進(jìn)行 DDR3 調(diào)試

       選件 6-DBDDR3 可以捕獲長(zhǎng)記錄，根據(jù)選擇的測(cè)量自動(dòng)分隔讀突發(fā)和寫(xiě)突發(fā)，在多個(gè)讀突發(fā)或?qū)懲话l(fā)上執(zhí)行測(cè)量。您可以定義多個(gè)讀和寫(xiě)搜索、對(duì)符合條件的搜索持續(xù)運(yùn)行 DDR3/LPDDR3 測(cè)量，并對(duì)結(jié)果執(zhí)行統(tǒng)計(jì)分析。

       在執(zhí)行 DDR3 電測(cè)試和定時(shí)分析時(shí)，6 系列 MSO 示波器必須具有推薦的 8 GHz 帶寬，以便涵蓋整個(gè) DDR3 速度等級(jí)范圍。但是，對(duì)于信號(hào)完整性測(cè)試和調(diào)試，低 4 GHz 的帶寬就足以滿(mǎn)足大多數(shù)用戶(hù)的需求。

僅需點(diǎn)擊屏幕兩次，即可打開(kāi) DDR 測(cè)量菜單

（四）自動(dòng)檢測(cè)讀寫(xiě)突發(fā)

       某些 JEDEC 符合性測(cè)量要求隔離內(nèi)存總線上的關(guān)心事件（例如讀突發(fā)或?qū)懲话l(fā)），符合性解決方案會(huì)自動(dòng)進(jìn)行此處理。

       為進(jìn)行調(diào)試，可能需要按特定的秩或列隔離特定事件，或隔離特定數(shù)據(jù)碼型，以分析信號(hào)完整性問(wèn)題，比如數(shù)據(jù)相關(guān)抖動(dòng)、定時(shí)或噪聲問(wèn)題。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的簡(jiǎn)單的方式，是使用 DQS（Data Strobe 信號(hào)），識(shí)別讀突發(fā)或?qū)懲话l(fā)的開(kāi)頭。例如，DDR3 在寫(xiě)開(kāi)頭一直聲稱(chēng) DQS 為高，或在讀開(kāi)頭聲稱(chēng) DQS 為低。

       通過(guò) 6 系列 MSO 示波器上的可視觸發(fā)功能，您可以進(jìn)一步調(diào)節(jié)傳統(tǒng)觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)更加多樣化的 DQS 突發(fā)捕獲功能。通過(guò)可視觸發(fā)，您可以在波形畫(huà)面上直接創(chuàng)建類(lèi)似模板的區(qū)域，區(qū)域邊界可以幫助您為 DQS 或 Data Strobe 信號(hào)定義觸發(fā)事件。

可視觸發(fā)功能讓您可以添加標(biāo)準(zhǔn)區(qū)域或用戶(hù)選定區(qū)域，在特定觸發(fā)條件下觸發(fā) DDR3 波形

使用選件 6-DJA 測(cè)量和可視觸發(fā)調(diào)節(jié)源波形得到 DDR3 信號(hào)的眼圖

（五）泰克8GHz示波器自動(dòng)測(cè)試顯卡DDR3解決方案化繁為簡(jiǎn)

       每種內(nèi)存技術(shù)的 JEDEC 規(guī)范都包含大量的合規(guī)測(cè)量，如時(shí)鐘抖動(dòng)、建立時(shí)間和保持時(shí)間、跳變電壓、信號(hào)過(guò)沖和下沖、轉(zhuǎn)換速率及其他電質(zhì)量測(cè)試。如果使用通用工具，那么這些指標(biāo)測(cè)量起來(lái)會(huì)非常復(fù)雜。

       由于 JEDEC 規(guī)定的測(cè)量方法要求基準(zhǔn)電平、通過(guò)/失敗極限等，因此擁有 DDR 測(cè)試使用的專(zhuān)用測(cè)量工具就有了異常重要的意義。選件 6-CMDDR3 旨在針對(duì)器件正確設(shè)置 DDR 測(cè)量。6-CMDDR3 提供了大量的測(cè)量，符合 JEDEC 規(guī)范。您也可以利用選件 6-DBDDR3 來(lái)量身定制設(shè)置，測(cè)量非標(biāo)準(zhǔn)器件或系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案。

       選件 6-CMDDR3 與選件 6-DJA（高等抖動(dòng)分析）配套使用時(shí)，提供了抖動(dòng)和眼圖分析工具。這兩種模塊相結(jié)合，為 DDR 測(cè)試和調(diào)試提供了強(qiáng)大、靈活、簡(jiǎn)便易用的測(cè)試套件。

（六）DDR 搜索功能

       DDR 搜索功能可以在整個(gè)波形采集中搜索特定信號(hào)條件（比如 DDR 讀/寫(xiě)），并在滿(mǎn)足條件的位置標(biāo)記波形。除將標(biāo)記用于進(jìn)行可視分析外，示波器還可以將這些標(biāo)記用作 DDR 特定測(cè)量的限定符，這樣就只會(huì)在數(shù)據(jù)流的相應(yīng)位置進(jìn)行測(cè)量。搜索程序中的搜索算法利用以下事實(shí)因素：ddr 相位關(guān)系對(duì)于 DDR 讀取和寫(xiě)入搜索是不同的、DQ 和 DQS 對(duì)于讀取是同相而對(duì)于寫(xiě)入是 90 度異相。它還支持基于片選 (CS) 信號(hào)和數(shù)字信號(hào)（片選 (CS)、行訪問(wèn)選通 (RAS)、列訪問(wèn)選通 (CAS) 和“寫(xiě)啟用"源 (WE)）的突發(fā)脈沖識(shí)別。

（七)用于調(diào)試故障的步驟

       內(nèi)存調(diào)試過(guò)程中的第（1）步是定義搜索。這可以通過(guò)單擊示波器上的“搜索"按鈕并對(duì)讀突發(fā)脈沖或?qū)懲话l(fā)脈沖定義 DDR 搜索來(lái)實(shí)現(xiàn)。下一步是從 DDR 選項(xiàng)卡添加測(cè)量，并配置這些測(cè)量。此配置過(guò)程涉及提供搜索以作為測(cè)量的輸入，以及定義信號(hào)源。由于要配置眾多測(cè)量，所以我們建議手動(dòng)配置一次測(cè)量 ，并保存示波器設(shè)置文件。當(dāng)您下次想要調(diào)試時(shí)，可以很容易地調(diào)出波器設(shè)置文件，這將恢復(fù)示波器的所有已配置測(cè)量，并可根據(jù)需要進(jìn)行編輯。

       在設(shè)置完成并選擇 <Run>（或 <Single>）后，示波器會(huì)采集關(guān)心的信號(hào)、識(shí)別和標(biāo)記符合條件的數(shù)據(jù)突發(fā)，并更新所選測(cè)量的結(jié)果。

       隨 6-DBDDR3 套件提供的出廠設(shè)置文件基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)置構(gòu)建，因此如果您的測(cè)試設(shè)置與默認(rèn)設(shè)置文件不同，那么您可能需要修改一次設(shè)置并保存這些設(shè)置。

       您可以單擊示波器屏幕上的“結(jié)果表"按鈕，以表格形式查看結(jié)果。結(jié)果表顯示所有測(cè)量結(jié)果及其統(tǒng)計(jì)總量、來(lái)源和其他相關(guān)數(shù)據(jù)。您可以生成報(bào)告，有一個(gè)選項(xiàng)是保存進(jìn)行這些測(cè)量時(shí)使用的波形數(shù)據(jù)。

詳細(xì)的結(jié)果顯示 DDR3 信號(hào)判定合格的突發(fā)

詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告及設(shè)置細(xì)節(jié)、測(cè)量結(jié)果和波形圖像

（八）DDR3主內(nèi)存插補(bǔ)器

       接入內(nèi)存芯片上的信號(hào)測(cè)試點(diǎn)，在DDR測(cè)試中是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)要求應(yīng)在內(nèi)存元件的球柵陣列(BGA)柵球輸出上進(jìn)行測(cè)量，而這些連接很難接入。

       泰克與Nexus Technology1合作，提供多種探測(cè)選項(xiàng)，如BGA插補(bǔ)器，其支持各種外形的不同內(nèi)存器件。插補(bǔ)器包括一個(gè)嵌入式尖的端電阻器，這個(gè)電阻器位于BGA焊盤(pán)附近。DDR3主內(nèi)存以標(biāo)準(zhǔn)BGA元件封裝及DIMM和SODIMM雙列直插模塊方式提供。

       標(biāo)準(zhǔn)BGA封裝直接焊接到印刷電路板(PCB)上，而雙列直插模塊則包括標(biāo)準(zhǔn)PCB格式的一系列封裝，DIMM和主電路板之間采用標(biāo)準(zhǔn)連接。插補(bǔ)器既可用于元件封裝，也可用于DIMM和SODIMM模塊。

      引入插補(bǔ)器和示波器探頭可能會(huì)改變信號(hào)特點(diǎn)。使用反嵌濾波器可以消除插補(bǔ)器和探頭在信號(hào)路徑中的影響，精準(zhǔn)表示探測(cè)點(diǎn)上的信號(hào)。

（1）EdgeProbe插補(bǔ)器

         Nexus Technology的EdgeProbe™插補(bǔ)器適用于DDR3、LPDDR3和其他新內(nèi)存產(chǎn)品。它的機(jī)械空間很小，因?yàn)樘綔y(cè)點(diǎn)在插補(bǔ)器的邊緣。頭可以直接連接目標(biāo)器件，接入時(shí)鐘信號(hào)、命令總線信號(hào)、選通信號(hào)和地址信號(hào)。

       EdgeProbe設(shè)計(jì)消除了機(jī)械間隙問(wèn)題，因?yàn)椴逖a(bǔ)器的尺寸與內(nèi)存元件相當(dāng)。過(guò)在所有信號(hào)上提供集成示波器探頭，插補(bǔ)器內(nèi)部的嵌入式電阻器把示波器探頭尖的端 電阻器的位置放得距BGA焊盤(pán)非常近。

（2）EdgeProbe插補(bǔ)器

1、帶插座的插補(bǔ)器

     帶插座的插補(bǔ)器一般可以接入所有元件信號(hào)，把插補(bǔ)器抬高到相鄰元件上方，獲得機(jī)械間隙。這種解決方案提供了一個(gè)定制插座，插座安裝在目標(biāo)器件上；另外還有一個(gè)插補(bǔ)器，安裝方式是把插補(bǔ)器按到插座中。解決方案中設(shè)計(jì)有固定機(jī)制，從目標(biāo)插座上拉下沒(méi)有固定的插補(bǔ)器，即可拔出插補(bǔ)器。

      以把內(nèi)存元件直接焊到插補(bǔ)器上，也可以在插補(bǔ)器上有一個(gè)插座。插補(bǔ)器上的插座允許手動(dòng)插拔內(nèi)存元件，簡(jiǎn)便地評(píng)估不同廠商的內(nèi)存元件。在測(cè)試結(jié)束時(shí)，可以拔下插補(bǔ)器，然后把內(nèi)存器件直接插到目標(biāo)器件的定制插座中，從而消除插補(bǔ)器的影響。

2、直接附著插補(bǔ)器

     直接附著插補(bǔ)器可以探測(cè)所有信號(hào)，直接安裝到目標(biāo)器件上。目標(biāo)器件必須為插補(bǔ)器留出機(jī)械間隙。直接附著插補(bǔ)器通常用于綜合封裝(PoP)元件。

直接附著插補(bǔ)器