詳細介紹
一、50000A羅氏線圈LMR-25-50K2產(chǎn)品概述
脈知剛性羅氏線圈LMR-25-50K2具有高性價比、頻帶廣泛、不失真不變形的特點,可與各式示波器配合使用,也可與本公司HF10精密陣列衰減器擴展配合使用,拓寬羅氏線圈倍率。
二、50000A羅氏線圈LMR-25-50K2技術(shù)參數(shù)
靈敏度(V/A) | 0.001(1:1000) |
脈沖電流 | 50kA(8/20μs)&15kA(10/350μs) |
有效值電流低至 | 100A |
安秒積(A·s) | 6.5 |
低頻截止點(3dB) | 10Hz |
高頻截止點(3dB) | 2MHz |
上升沿響應(yīng) | 500ns |
使用溫度 | 0-65℃ |
重量(kg) | 0.57 |
接口 | BNC |
孔徑 | 25mm |
三、設(shè)備連接
1.將被測導(dǎo)線穿入羅氏線圈中心孔。
2.連接阻抗匹配器,也可不裝,不影響測試結(jié)果。
3.將BNC測試線將線圈與示波器連接一體。
四、產(chǎn)品應(yīng)用
SiC MOSFET 的浪涌可靠性測試研究:浪涌可靠性是器件可靠性指標(biāo)的一種,是指MOSFET承受浪涌電流的能力。浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。
由于電容電感等非線性器件的充放電,很多電子電路在工作中會產(chǎn)生浪涌電流,尤其是在電路開啟的瞬間,而浪涌電流會對器件本身造成損傷,最終影響電路的正常工作,因此用戶在進行電路設(shè)計選擇器件之前,需要知道器件可承受的浪涌電流峰值,并依此設(shè)計電路參數(shù)使器件盡可能工作在安全區(qū)域。