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B（硼）和P（磷）的摻雜被用于微電子工業(yè)的許多應用，但是到目前為止，還沒有一種方法可以在不接觸樣品并由于必要的退火步驟而改變其特性的情況下檢查這些摻雜的均勻性。到目前為止的困難是，摻雜區(qū)域通常只有幾微米的深度，而且摻雜的劑量非常低。MDP能夠以高的分辨率來描述這些摻雜的樣品，并能很好地區(qū)分不同的摻雜劑量。

在這種情況下，光導率或信號高度是檢測摻雜物中不均勻性的敏感的參數(shù)。它在很大程度上取決于電阻率和少數(shù)載流子壽命本身。

在MDPmap和MDPingot設(shè)備中，可以集成4個不同波長的激光器。此外，還可以用不同的脈沖長度進行測量，從只有100ns的非常短的脈沖，即沒有載流子擴散發(fā)生，到幾個ms的脈沖長度，即載流子擴散到樣品的深度。因此，通過改變激光波長和脈沖長度，有可能以不同的滲透深度進行測量。

圖1：摻雜深度為2微米的P型摻雜劑

圖2：不同P型摻雜濃度下的樣品的光導率測量

實驗在這種情況下，我們選擇了脈沖長度為100ns的660nm激光器；因此，實現(xiàn)了大約4μm的穿透深度。圖1顯示了測量的Cz-Si樣品中摻雜的P型摻雜劑，圖2顯示了如何通過光導率測量來區(qū)分不同的摻雜濃度。