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實(shí)驗(yàn)設(shè)備: 實(shí)驗(yàn)用混料存儲(chǔ) 清洗設(shè)備區(qū)域熔融純化設(shè)備 CVD系統(tǒng) 真空系統(tǒng) 氣體流量控制系統(tǒng) 箱式爐系列管式爐系列二維材料制備設(shè)備系列石墨烯制備設(shè)備系列石英管真空封管系統(tǒng)

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鋁酸鑭 CPI的理念是以客戶為根本（customer），以人才為基礎(chǔ)（personnel），以創(chuàng)新求發(fā)展（innovation）。我們將秉承這一理念，為每一個(gè)客戶提供全套方案！

簡(jiǎn)介：鋁酸鑭（LaAlO₃）單晶是當(dāng)前非常重要的大尺寸高溫超導(dǎo)薄膜基片單晶材料。它對(duì)多種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料晶格匹配好，是外延生長(zhǎng)高溫超導(dǎo)薄膜和巨磁阻薄膜的襯底材料，介電常數(shù)較低，微波損耗小，適用于制作高溫超導(dǎo)微波電子器件（例如：遠(yuǎn)程通訊中的高溫超導(dǎo)微波濾波器等）。

性能及參數(shù)
生長(zhǎng)方法	提拉法
晶體結(jié)構(gòu)	六方（常溫）	立方（＞435℃）
晶格常數(shù)	六方a=5.357 Å c=13.22 Å	立方a=3.821 Å
顏色及外觀	依退火狀況而不同，由棕黃到褐色，拋光基片有自然孿晶疇。
化學(xué)穩(wěn)定性	室溫下不溶于礦物酸，溫度大于150℃時(shí)可溶于磷酸（H₃PO₄）
密度	6.52 g/cm³
熔點(diǎn)	2080℃
莫氏硬度	6.5mohs
熱膨脹系數(shù)	9.4×10^-6/℃
介電常數(shù)	25
正切損耗（10GHz）	～3×10^-4 @300k ～0.6×10^-4 @77k
晶向	<100>、<110>、<111>
晶面定向精度	±0.5°
邊緣定向精度	±1°
斜切晶片	可按照客戶需求，定制特殊方向
尺寸（可按照客戶需求，定制特殊尺寸）	10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等
	dia1″×0.5、dia2″×0.5等
拋光	單面拋光、雙面拋光
表面粗糙度	＜5 Å
包裝	1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝

合肥康帕因設(shè)備技術(shù)有限公司是應(yīng)材料界老客戶呼吁而成立的專業(yè)致力于材料制備、真空鍍膜、真空檢測(cè)、等離子清洗、鍍膜等設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)型企業(yè)。公司擁有過硬的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，可在材料研究、真空檢漏、真空鍍膜、等離子清洗等領(lǐng)域?yàn)槟艖n解難。
CPI 技術(shù)力量來(lái)源于材料類工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備要求，以及與國(guó)外同行業(yè)間的技術(shù)合作，產(chǎn)品設(shè)計(jì)*，注重細(xì)節(jié)，質(zhì)量可靠，售后無(wú)憂。CPI設(shè)備廣泛應(yīng)用于新能源材料，金屬材料，磁性材料，半導(dǎo)體材料，陶瓷材料，電化學(xué)，薄膜材料，CVD,PECVD ,石墨烯，碳納米管，碳納米線，光學(xué)材料，齒科等研究領(lǐng)域。
CPI將工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)要求應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)設(shè)備，設(shè)備性能更加穩(wěn)定可靠，工藝重復(fù)性強(qiáng)。

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