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介紹：

            在傳統(tǒng)的高速旋涂無(wú)法提供均勻覆蓋深孔形貌或高縱橫比的應(yīng)用中，超聲波半導(dǎo)體光刻膠噴涂系統(tǒng)用均勻的光刻膠薄膜涂覆半導(dǎo)體成為了完整的解決方案。與傳統(tǒng)的旋涂相比，采用超聲波噴涂的光致抗蝕劑涂層在沉積更均勻的涂層方面具有優(yōu)勢(shì)，特別是在高深寬比溝槽和v形槽結(jié)構(gòu)中沿側(cè)壁頂部沉積時(shí)，離心旋涂無(wú)法沉積均勻的涂層沿著側(cè)壁形成膜，而沒(méi)有過(guò)多的光致抗蝕劑沉積在腔體的底部。事實(shí)證明，使用超聲技術(shù)進(jìn)行直接噴涂是將光刻膠沉積到3D微結(jié)構(gòu)上的可靠且有效的方法，從而減少了因金屬過(guò)度暴露于抗蝕劑涂層而導(dǎo)致的設(shè)備故障。

組成：

    整機(jī)由超聲波霧化噴嘴，專用驅(qū)動(dòng)電源，XYZ三軸聯(lián)動(dòng)伺服系統(tǒng)，智能化操作系統(tǒng)，液體供給系統(tǒng)，低速空氣裝置，外殼箱體等組成。

優(yōu)勢(shì)：

• 各種表面輪廓的高均勻薄膜覆蓋率。
• 能夠以高均勻度涂覆高深寬比的溝槽。
• 無(wú)堵塞的霧化噴涂。
• 能夠以高均勻度沉積薄的單微米層。
• 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可重復(fù)噴涂工藝。

應(yīng)用：

           用于具有不同形貌的MEMS晶片和其他基板。