電子工業(yè)氣體:

高純度硅烷氣體雜質(zhì)組份的檢測(cè)

一:應(yīng)用領(lǐng)域：
硅烷在大規(guī)模集成電路（LSI）、超大規(guī)模集成電路（VLSI）和半導(dǎo)體器件制造中，用于氣相外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相淀積等工藝（工序）。
1. 外延（生長(zhǎng)）混合氣 在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長(zhǎng)一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽(yáng)能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。 
2. 化學(xué)氣體淀積（CVD）用混合氣 CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學(xué)氣相淀積（CVD）氣體也不同。

二:硅烷中微量雜質(zhì)的分析一直是色譜分析的難點(diǎn)。
目前多數(shù)采用的熱導(dǎo)檢測(cè)器由于靈敏度有限，很難測(cè)定5ppm以下的雜質(zhì)；火焰離子化檢測(cè)器和氧化鋯檢測(cè)器是選擇性的檢測(cè)器，只能分析少數(shù)幾種氣體雜質(zhì)，均不能很好的滿足硅烷氣體分析的基本要求。
PDHID檢測(cè)器（脈沖放電氦離子檢測(cè)器）是一種靈敏度的通用型檢測(cè)器，對(duì)幾乎所有無(wú)機(jī)和有機(jī)化合物均有很高的響應(yīng)，特別適合*氣體的分析，是*能夠檢測(cè)至ng/g（ppb）級(jí)的檢測(cè)器。