介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 電感器：
按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。
例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。
高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件)：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶(hù)可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 特點(diǎn)：
◎本公司新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀 工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線(xiàn)性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。
同樣，由測(cè)微圓筒線(xiàn)性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz)：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍：40～500pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線(xiàn)性：0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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