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例：純半導(dǎo)體禁帶較寬，價電帶電子很難越過禁帶進入導(dǎo)帶，導(dǎo)電率很低，為改善導(dǎo)電性，可采用摻加雜質(zhì)的辦法，如在半導(dǎo)體硅中摻入P和B，摻入一個P，則與周圍Si原子形成四對共價鍵，并導(dǎo)出一個電子，叫施主型雜質(zhì)，這個多余電子處于半束縛狀態(tài)，只須填加很少能量，就能躍遷到導(dǎo)帶中，它的能量狀態(tài)是在禁帶上部靠近導(dǎo)帶下部的一個附加能級上，叫施主能級，叫n型半導(dǎo)體。當摻入一個B，少一個電子，不得不向其它Si原子奪取一個電子補充，這就在Si原子中造成空穴，叫受主型雜質(zhì)，這個空穴也僅增加一點能量就能把價帶中電子吸過來，它的能量狀態(tài)在禁帶下部靠近價帶頂部一個附加能級，叫受主能級，叫P型半導(dǎo)體，自由電子，空穴都是晶體一種缺

點缺陷在實踐中有重要意義：燒成燒結(jié)，固相反應(yīng)，擴散，對半導(dǎo)體，電絕緣用陶瓷有重要意義，使晶體著色等。

線缺陷

實際晶體在結(jié)晶時，受到雜質(zhì)，溫度變化或振動產(chǎn)生的應(yīng)力作用或晶體由于受到打擊，切割等機械應(yīng)力作用，使晶體內(nèi)部質(zhì)點排列變形，原子行列間相互滑移，不再符合理想晶體的有序排列，形成線狀缺陷。

位錯直觀定義：晶體中已滑移面與未滑移面的邊界線。

這種線缺陷又稱位錯，注意：位錯不是一條幾何線，而是一個有一定寬度的管道，位錯區(qū)域質(zhì)點排列嚴重畸變，有時造成晶體面網(wǎng)發(fā)生錯動。對晶體強度有很大影響

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