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[供應(yīng)]IM4000 Plus-Hitachi離子研磨儀 IM4000 Plus
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  • IM4000 Plus-Hitachi離子研磨儀 IM4000 Plus
貨物所在地:
上海上海市
產(chǎn)地:
美國
更新時(shí)間:
2025-02-15 21:00:08
有效期:
2025年2月15日 -- 2025年8月15日
已獲點(diǎn)擊:
420
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產(chǎn)品簡介

日立IM4000Plus離子研磨儀利用氬離子對(duì)樣品即可以進(jìn)行平面研磨,也可以進(jìn)行截面切割,是對(duì)樣品進(jìn)行無應(yīng)力加工的理想工具,不會(huì)產(chǎn)生傳統(tǒng)的切割或機(jī)械拋光帶來的變形錯(cuò)位、機(jī)械應(yīng)力或劃痕污染等對(duì)樣品的形貌觀察和結(jié)構(gòu)分析帶來的不利影響,通過制冷功能可以對(duì)受熱易損傷的樣品進(jìn)行加工。

詳細(xì)介紹

Hitachi離子研磨儀 IM4000 Plus
截面研磨/ 平面研磨的兩用前處理裝置
一臺(tái)儀器同時(shí)具備“截面研磨(Cross Section Milling)”和“平面研磨(Flat Milling)”兩種功能。
通過更換樣品座、可以滿足廣泛的應(yīng)用需求。

 

主要特點(diǎn):

1. 即可進(jìn)行截面切割,也可進(jìn)行平面研磨;

2. 加工效率更高,截面約500μm/h;

3. 程序控制間歇式加工;

4. 通過制冷功能可以對(duì)受熱易損傷的樣品進(jìn)行加工。


截面研磨
為了對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察、分析,必須讓樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)顯露出來。
而通過切割或機(jī)械研磨的截面,不可避免因應(yīng)力而產(chǎn)生變形和損傷,因此很難得到SEM分析所需要的平滑表面。
日立離子研磨裝置使用大面積低能量的Ar離子束,加工出無應(yīng)力損傷的截面,為SEM觀察樣品的內(nèi)部多層結(jié)構(gòu)、結(jié)晶狀態(tài)、
異物解析、層厚測(cè)量等提供有效的前處理方法。


原理
樣品和離子槍之間放置了遮擋板(Mask),樣品的上端略突出遮擋板,離子束從遮擋板上方照射到樣品上、沿著遮擋板的邊緣,加工出平坦的截面。

特點(diǎn)·應(yīng)用
■制成的低損傷的截面便于表層以下內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。
■適用樣品:電子元件如IC芯片、PCB、LED等(多層、裂
痕、孔洞分析)、金屬(EBSD晶體結(jié)構(gòu)、EDS元素分析、鍍
層)、高分子材料、紙、陶瓷、玻璃、粉末等。
■可移動(dòng)的樣品座可精確定位、實(shí)現(xiàn)對(duì)特定位置的研磨(詳見說
明書)。
■大樣品: 寬20 mm× 長12 mm× 厚7 mm
■聯(lián)用樣品臺(tái)在機(jī)械研磨、離子研磨、SEM觀察(Hitachi
機(jī)型)之間不用更換樣品臺(tái)。


樣品: 熱敏紙

   

平面研磨
SEM在觀察金相組織和材料缺陷時(shí)需要經(jīng)過特殊的樣品制備方法。傳統(tǒng)的機(jī)械研磨拋光會(huì)使表面產(chǎn)生變形、損傷或劃痕,
無法獲得樣品的真實(shí)結(jié)構(gòu)。通過日立IM4000可對(duì)樣品進(jìn)行無應(yīng)力加工,用于去除樣品的表層、加工出低損傷平面,也可用
于機(jī)械研磨的后續(xù)加工工序。


原理
如果離子束中心軸和樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)中心軸是*的,則加工出的輪廓反映了離子束流密度分布,即中心部分較深的形狀。
平面研磨法是利用離子束中心軸和樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)中心軸之間有一定的偏心量,從而獲得均一的大范圍加工面。


特點(diǎn)·應(yīng)用
■均勻加工范圍直徑約5 mm
■能除去用機(jī)械研磨難以除去的細(xì)微損傷和變形
■可用于多種分析目的的大面積研磨
結(jié)晶晶界的觀察、多層膜的觀察:
離子束照射角小的時(shí)候,離子束的加工速率與樣品的結(jié)晶取向、組成相關(guān)性大,利用這個(gè)加工速率的差別可以加工出形如浮雕的平面。
界面的觀察、元素分析、EBSD*分析:
離子束照射角大的時(shí)候,離子束的加工速率與樣品的結(jié)晶取向、組成相關(guān)性不大,可以加工出平坦的樣品表面。
■大樣品尺寸: 直徑50 mm× 高25 mm
■ 有旋轉(zhuǎn)加工和擺動(dòng)加工兩種方式可選:
除了旋轉(zhuǎn)加工方式,還增加了擺動(dòng)加工方式,擺動(dòng)角度為±60°或±90°。可選擇多種加工方式(速度、轉(zhuǎn)動(dòng)方式可調(diào)),從而加工出比較平坦的表面。


樣品: 鋼材


功能
IM4000PLUS加工速率更高

IM4000PLUS提高了離子束流的密度使得研磨速率大幅度的提高。
(研磨速率:500 μm/hr,相對(duì)于IM4000增大了50%*1 @加速電壓6 kV,Si材料)

*1 相對(duì)于Mask截面樣品伸出100 μm,加速電壓: 6 kV


樣品: Si片
    


應(yīng)用實(shí)例
應(yīng)用(截面研磨)

應(yīng)用(平面研磨)

主要參數(shù)

*4 Si片突出遮擋板(Mask)邊緣100 μm
*5 冷卻時(shí)擺動(dòng)角度為±15°和±30°
*6 Mask的移動(dòng)精度有所提高,其移動(dòng)步長變?yōu)槟壳暗?/5

 

應(yīng)用領(lǐng)域:

1. LED、PCB等半導(dǎo)體行業(yè);

2. 頁巖氣;

3. 高分子材料

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