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LED防爆燈真的能夠達(dá)到100%的發(fā)光效率嗎?
很多企業(yè)的產(chǎn)品宣傳上都會說自己生產(chǎn)的LED防爆燈的發(fā)光效率是*,可是真正能夠生產(chǎn)出*發(fā)光效率的LED防爆燈卻是一臺也沒有。這一切的說法,都還是只存在于理論階段的:只要技術(shù)過硬,應(yīng)該沒問題。可是真的沒有任何問題嗎?世間萬物都遵循著質(zhì)量守恒定律,但是想要將能量的損耗降低到零,這還是非常難以實現(xiàn)的,至少目前為止還沒有人能夠?qū)崿F(xiàn)。
就目前市面上使用的燈泡光源,我們來做個對比:
1、白熾燈和鹵鎢燈,其光效為12~24流明/瓦;
2、熒光燈和HID燈的光效為50~120流明/瓦;
3、LED防爆燈預(yù)計可達(dá)到250流明/瓦,目前可以110流明/瓦,并成功應(yīng)用與實踐中。
朔越LED防爆燈
從這些數(shù)值上我們可以看到,如果條件允許的話,光源的光效還可以更高??梢圆粩嗟南蚬庑o限靠近,直至達(dá)到*。
目前,能提高發(fā)光效率且比較可行的方法有:
1、LED防爆燈激光剝離技能(LLO):
激光剝離技能(LLO)是使用激光能量分化GaN/藍(lán)寶石接口處的GaN緩沖層,然后完成LED外延片從藍(lán)寶石襯底別離。技能長處是外延片轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率的熱沉上,可以改善大尺度芯片中電流擴(kuò)大。n面為出光面:發(fā)光面積增大,電極擋光小,便于制備微布局,并且削減刻蝕、磨片、劃片。更重要的是藍(lán)寶石襯底可以重復(fù)運用。
2、LED防爆燈芯片鍵合技能:
光電子器材對所需求的資料在功能上有必定的需求,一般都需求有大的帶寬差和在資料的折射指數(shù)上要有很大的改變。可憐的是,一般沒有天然的這種資料。用同質(zhì)外延成長技能一般都不能構(gòu)成所需求的帶寬差和折射指數(shù)差,而用一般的異質(zhì)外延技能,如在硅片上外延GaAs和InP等,不只本錢較高,并且聯(lián)系接口的位錯密度也十分高,很難構(gòu)成高質(zhì)量的光電子集成器材。因為低溫鍵合技能可以大大削減不一樣資料之間的熱失配疑問,削減應(yīng)力和位錯,因而能構(gòu)成高質(zhì)量的器材。跟著對鍵合機(jī)理的逐步知道和鍵合制程技能的逐步老練,多種不一樣資料的芯片之間現(xiàn)已可以完成相互鍵合,然后能夠構(gòu)成一些特別用處的資料和器材。
3、LED防爆燈通明襯底技能:
InGaAlP LED顯示屏一般是在GaAs襯底上外延成長InGaAlP發(fā)光區(qū)GaP窗口區(qū)制備而成。與InGaAlP比較,GaAs資料具有小得多的禁帶寬度,因而,當(dāng)短波長的光從發(fā)光區(qū)與窗口外表射入GaAs襯底時,將被全部吸收,變成器材出光功率不高的主要原因。在襯底與約束層之間成長一個布喇格反射區(qū),能將筆直射向襯底的光反射回發(fā)光區(qū)或窗口,有些改善了器材的出光特性。一個更為有用的辦法是先去掉GaAs襯底,代之于全通明的GaP晶體。
4、LED防爆燈外表微布局技能 :
外表微布局制程是進(jìn)步器材出光功率的又一個有用技能,該技能的根本關(guān)鍵是在芯片外表刻蝕很多尺度為光波長量級的小布局,每個布局呈截角四面體狀,如此不光擴(kuò)大了出光面積,并且改變了光在芯片外表處的折射方向,然后使透光功率明顯進(jìn)步。丈量指出,關(guān)于窗口層厚度為20μm的器材,出光功率可增加30%。當(dāng)窗口層厚度減至10μm時,出光功率將有60%的改善。
當(dāng)然,我們還是很期待LED防爆燈發(fā)光效率真正的能達(dá)到100%,這樣不僅節(jié)能,還環(huán)保!