天津市電纜總廠始終遵循標(biāo)準(zhǔn)，刻守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范，迎合客戶實(shí)際要求，秉承天津電纜人的誠信經(jīng)營態(tài)度。40多年來，已經(jīng)在全國市場形成具有影響力的電纜。推進(jìn)電纜價(jià)格改革步伐,有利于電纜行業(yè)的長期發(fā)展。綠色環(huán)保型線纜亦稱綠色電纜、清潔電纜、無公害電纜、環(huán)境友好電纜等，是當(dāng)今世界上大力推廣的線纜品種，其特點(diǎn)是在產(chǎn)品制造、使用和廢棄整個(gè)壽命周期內(nèi)，不會(huì)產(chǎn)生環(huán)境污染。

RS485通訊電纜RS485通訊電纜

RS-485通訊電纜在一般場合采用雙絞線就可以，但在要求比較高的環(huán)境下可以采用帶屏蔽層的雙絞電纜。在使用RS485通訊時(shí)，對(duì)于特定的傳輸線路，主機(jī)（召測設(shè)備）到儀表的485口間的電纜長度與數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)牟ㄌ芈食煞幢?；這個(gè)長度主要受信號(hào)的失真以及噪聲的影響所影響。理論上RS485的傳輸距離能達(dá)到1200米，但實(shí)際應(yīng)用中傳輸距離要小于1200米，具體長度受周圍的環(huán)境影響。
性阻抗為120Ω的雙絞屏蔽電纜廣泛用于RS485/422、CANBUS等總線,RS485通信電纜規(guī)格很多，電纜的敷設(shè)環(huán)境、通信速率、無中繼傳輸距離等參數(shù)。一般推薦如下：
    普通雙絞屏蔽型電纜 STP-120Ω（for RS485 & CAN） one pair 20 AWG ，電纜外徑7.7mm左右。適用于室內(nèi)、管道及一般工業(yè)環(huán)境。使用時(shí)，屏蔽層一端接地！

普通雙絞屏蔽型電纜 STP-120Ω（for RS485 & CAN） one pair 18 AWG ，電纜外徑8.2mm左右。適用于室內(nèi)、管道及一般工業(yè)環(huán)境。使用時(shí)，屏蔽層一端接地！

    鎧裝雙絞屏蔽型電纜 ASTP-120Ω（for RS485 & CAN） one pair 18 AWG ，電纜外徑12.3mm左右。可用于干擾嚴(yán)重、鼠害頻繁以及有防雷、防爆要求的場所。使用時(shí)，建議鎧裝層兩端接地，內(nèi)層屏蔽一端接地！

    性阻抗為100Ω的雙絞屏蔽電纜 STP-100Ω(for FF & PROFIBUS-PA) one pair 18 AWG 則應(yīng)用于FF、PROFIBUS-PA 總線，常用18AWG導(dǎo)體。

存放電纜，需注意幾下幾點(diǎn)：

 1.新進(jìn)的整盤電纜在出廠時(shí)，其兩頭均使用塑料密封套封住，但在施工現(xiàn)場根據(jù)實(shí)際情況用去一段之后，剩下的部分就用塑料布簡單包扎一下斷口，由于平時(shí)露天擺放且密封不好，日子一久，難免就會(huì)有水汽滲入電纜。
2.電纜敷設(shè)時(shí)，需要經(jīng)常穿越道路、橋梁和涵洞等，由于天氣或其他原因，電纜溝內(nèi)也時(shí)常積聚了許多的水，敷設(shè)過程中，不可避免的會(huì)出現(xiàn)電纜頭浸在水中的情況，因塑料布包扎不嚴(yán)或破損而使水進(jìn)入電纜；另外在牽引和穿管時(shí)，有時(shí)也會(huì)發(fā)生外護(hù)套甚至鋼鎧被刮壞現(xiàn)象，當(dāng)使用機(jī)械牽引時(shí)，這種現(xiàn)象尤為突出.
3.電纜敷設(shè)完成后，因現(xiàn)場施工條件限制未能及時(shí)進(jìn)行電纜頭制作，使未經(jīng)密封處理的電纜斷口長期暴露在空氣中，甚至浸在水中，使水汽大量進(jìn)入電纜。
4.在電纜頭制作過程中(包括終端頭和中間接頭)，由于施工人員的疏忽大意，新處理的電纜端頭有時(shí)會(huì)不小心掉入現(xiàn)場的積水中。
5.電纜電線正常運(yùn)行中，如果因某種原因發(fā)生擊穿等故障時(shí)，電纜溝中的積水便會(huì)沿著故障點(diǎn)進(jìn)入電纜內(nèi)部；在土建施工中，尤其是在使用大型建筑機(jī)械的建筑工地，因各種人為因素而引起的電纜破損或擊穿事故，也屢見不鮮。當(dāng)發(fā)生此類事故時(shí)，電纜絕緣遭嚴(yán)重破壞，也會(huì)造成電纜進(jìn)水。電纜進(jìn)水后，在電場的作用下，會(huì)發(fā)生水樹老化現(xiàn)象，導(dǎo)致電纜擊穿。水樹是直徑在0.1m到幾微米充滿水的空隙集合。絕緣中存在的雜質(zhì)、氣孔及絕緣與內(nèi)外半導(dǎo)電層結(jié)合面的不均勻處所形成的局部高電場部位是發(fā)生水樹的起點(diǎn)。