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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
探測器及模塊
1–14µm，HgCdTe三級熱電冷卻，光學(xué)浸沒光導(dǎo)探測器
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級熱電冷卻紅外光電探測器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過優(yōu)化，可在12µm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，用高半球GaAs微透鏡來提高探測能力，光電導(dǎo)檢測器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流模式下工作。低頻率下的性能由于1/f噪聲而減小，3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口可防止不必要的干擾效應(yīng)。
| 參數(shù)（Ta = 20°C） | 探測器類型 |
| PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | |
| 光敏元件材料 | HgCdTe |
| 截止波長 λcut-on (10%), µm | ≤2.0 |
| 峰值波長 λpeak, µm | 10.0±0.2 |
| 優(yōu)化波長 λopt, µm | 12 |
| 最高截止波長 λcut-off (10%), µm | 14.0±0.2 |
| 探測率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W | ≥1.6×109 |
| 探測率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W | ≥9.0×108 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W | ≥0.11 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W | ≥0.07 |
| 時(shí)間常數(shù) τ, ns | ≤5 |
| 阻抗 R, Ω | ≤300 |
| 偏置電壓 Vb, V | ≤1.8 |
| 1/f 噪聲頻率 fc, kHz | ≤20 |
| 芯片工作溫度 Tdet, K | ~210 |
| 光敏面積 Ao, mm×mm | 1×1 |
| 封裝 | TO8 |
| 接收角度 Φ | ~36° |
| 窗片 | wZnSeAR |
特征
•1至14µm的寬光譜范圍
•高響應(yīng)度
•大動態(tài)范圍
•長期穩(wěn)定性和可靠性
•快速交付
應(yīng)用領(lǐng)域
•FTIR光譜
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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