1151差壓變送器選型另一側(cè)拉伸，壓差使電橋失衡，輸出一個與壓力變化對應(yīng)的信號。惠斯登電橋的輸出信號經(jīng)電路處理后，即產(chǎn)生與壓力變化成線性關(guān)系的4-20mA標(biāo)準(zhǔn)信號輸出。 

對于表壓傳感器，其負(fù)腔側(cè)通常通大氣，以大氣壓作為參考壓力；對于絕壓傳感器，其負(fù)腔側(cè)通常為真空室，以決對真空作為參1151差壓變送器選型?  
1151差壓變送器選型導(dǎo)致發(fā)生不可逆轉(zhuǎn)的測量偏差；當(dāng)壓差P達(dá)到或超過測量硅膜片能承受的ZUI高應(yīng)力σb后，測量硅膜片破裂，直接導(dǎo)致傳感器損壞。因此，通過阻止或削弱外界的過載壓差P直接傳遞到測量硅膜片上，可以有效保護(hù)傳感器的測量精度和壽命。這就引出了對單晶硅芯片進(jìn)行過載保護(hù)設(shè)計(jì)的問題。 
1151差壓變送器選型當(dāng)壓力直接或間接的作用在測量膜片的表面，使膜片產(chǎn)生微小的形變，測量膜片上的高精度電路將這個微小的形變變換成為與壓力成正比的電壓信號，經(jīng)過溫度壓力補(bǔ)償，然后采用芯片將這個電壓信號轉(zhuǎn)換為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的4-20mA電流信號或者1-5V電壓信號。

圖3  帶過載保護(hù)的差壓傳感器結(jié)構(gòu)示意圖 

如圖4、圖5所示，當(dāng)有超過差壓測量硅膜片允許工作范圍的差壓出現(xiàn)時，中心隔離移動膜片向低壓一側(cè)移動，并使高壓一側(cè)的外界隔離膜片和腔室內(nèi)壁重合，從而使得高壓側(cè)硅油全部趕入腔室內(nèi)，


1151差壓變送器選型樣對于后端的電子電路和軟件較為容易實(shí)現(xiàn)信號補(bǔ)償和放大處理。相比于金屬電容式壓力、差壓變送器，單晶硅原理的壓力、差壓變送器的量程比性能非常*，其常用壓力變送器的量程可調(diào)比達(dá)到了100:1，微差壓變送器的可調(diào)量程比達(dá)到10:1。經(jīng)量程壓縮后仍能保持較高的基本精度，大幅拓寬了單晶硅壓力變送器的可調(diào)節(jié)范圍，對用戶的應(yīng)用較為方便和有意義。