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平板探測器(DR板)的工作原理及平板探測器的維修
(一)碘化銫/非晶硅型:
概括原理:X線先經(jīng)熒光介質(zhì)材料轉(zhuǎn)換成可見光,再由光敏元件將可見光信號轉(zhuǎn)換成電信號,后將模擬電信號經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。
具體原理:
1、曝光前,先使硅表面存儲陽離子而產(chǎn)生均一電荷,導(dǎo)致在硅表面產(chǎn)生電子場;
2、曝光期間,在硅內(nèi)產(chǎn)生電子-空穴對,且自由電子游離到表面,導(dǎo)致在硅表面產(chǎn)生潛在的電荷影像,在每一點上電荷密度與局部X線強度相當(dāng)。
3、曝光后,X線圖像被儲存在每一個像素中;
4、半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器讀出每一個素,完成模數(shù)轉(zhuǎn)換。
優(yōu)點:
1、轉(zhuǎn)換效率高;
2、動態(tài)范圍廣;
3、空間分辨率高;
4、在低分辨率區(qū)X線吸收率高(原因是其原子序數(shù)高于非晶硒);
5、環(huán)境適應(yīng)性強。
缺點:
1、高劑量時DQE不如非晶硒型;
2、因有熒光轉(zhuǎn)換層故存在輕微散射效應(yīng);
3、銳利度相對略低于非晶硒型。
(二)非晶硒型
概括原理:光導(dǎo)半導(dǎo)體直接將接收的X線光子轉(zhuǎn)換成電荷,再由薄膜晶體管陣列將電信號讀出并數(shù)字化。
具體原理:
1、X 線入射光子在非晶硒層激發(fā)出電子-空穴對;
2、電子和空穴在外加電場的作用下做反向運動,產(chǎn)生電流,電流的大小與入射的X線光子數(shù)量成正比;
3、這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上,每一個TFT和電容就形成一個像素單元。
優(yōu)點:
1、轉(zhuǎn)換效率高;
2、動態(tài)范圍廣;
3、空間分辨率高;
4、銳利度好;
缺點:
1、對X線吸收率低,在低劑量條件下圖像質(zhì)量不能很好的保證,而加大X線劑量,不但加大病源射線吸收,且對X光系統(tǒng)要求過高。
2、硒層對溫度敏感,使用條件受限,環(huán)境適應(yīng)性差。
(三)CCD型
概括原理:由增感屏作為X線的交互介質(zhì),加CCD來數(shù)字化X 線圖像。
具體原理:以MOS電容器型為例:是在P型Si的表面生成一層SiO2,再在上面蒸鍍一層多晶硅作為電極,給電極P型Si 襯底加一電壓,在電極下面就形成了一個低勢能區(qū),即勢阱。勢阱的深淺與電壓有關(guān)。電壓越高勢阱越深。而光生成電子就儲于勢阱之中。光生電子多少與光強成正比。所以所存儲的電荷量也就反應(yīng)了該點的亮度。上百萬的光敏單元所存儲的電荷就形成與圖像對應(yīng)的電荷圖像。
優(yōu)點:
1、空間分辨率高;
2、幾何失真?。?/span>
3、均勻一致性好。
缺點:
1、轉(zhuǎn)換效率低(原因是CCD系統(tǒng)采用增感屏為其X線交互介質(zhì),它的MTF調(diào)制傳遞函數(shù)和DQE量子檢測效能都不會超過增感屏。另外,由于增感屏被X線激發(fā)的熒光通常只有小于1%能夠通過鏡頭進入CCD)。
2、生產(chǎn)工藝難:CCD面積難以做大,需多片才能獲得足夠的尺寸,這便帶來了拼接的問題,導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)雜度升高可靠性降低,且接縫兩面有影像偏差。
3、像素大小由CCD的小體積決定,而CCD體積制造工藝受限。
通過此文-平板探測器(DR板)的工作原理及優(yōu)缺點,我們可以了解到數(shù)字平板探測器未來到發(fā)展方向機應(yīng)用領(lǐng)域。
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4343HE-萬睿視平板探測器4343HE
CCD技術(shù)的這些固有缺陷,使其已經(jīng)不能代表DR系統(tǒng)的主流發(fā)展方向,逐步淘汰中。萬睿視VAREX平板探測器代表著數(shù)字射線無損檢測的發(fā)展方向!
同時萬睿視中國在江蘇無錫設(shè)立工廠及維修車間,方便國內(nèi)客戶的售后服務(wù)!
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