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一、概述

IRE-200膜厚測(cè)試儀是一款超高精度的外延層厚度測(cè)量設(shè)備，利用紅外光譜經(jīng)傅里葉變換進(jìn)行快速分析，主要應(yīng)用于Si、GaAs、InP、SiC、GaN等各類(lèi)外延片的外延層厚度測(cè)量。

單拋/雙拋等多種模式選擇支持；

自定義mapping功能；

高檢測(cè)速率：Si標(biāo)準(zhǔn)外延片測(cè)量25點(diǎn)≤3min；

高檢測(cè)精度：≤0.01um。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1、IRE-200膜厚測(cè)試儀采用高性能光源模塊，光源穩(wěn)定性好，信噪比高，覆蓋范圍7800-350cm-1。

3、搭配自主研發(fā)的mapping運(yùn)動(dòng)臺(tái)，定位精準(zhǔn)、測(cè)量速度快。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

IRE-200廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中Si、SiC、GaAs、InP、GaN等基底材料上外延層厚度的量測(cè)。

SiC EPI量測(cè)案例