• T2550M/AI4四通道通用模擬量輸入模件

分辨率:     <2μV（低電平輸入）

校驗(yàn)精度:   測(cè)量值的+0.1%或+10μV

用戶校驗(yàn):   可調(diào)高/低偏移量

輸入濾波時(shí)間:  關(guān)閉至大999.9秒時(shí)間可選

校驗(yàn):     支持簡(jiǎn)單的零點(diǎn)偏移校驗(yàn)，偏移值存儲(chǔ)于IOC模件中

偏移校驗(yàn):  模擬量輸入已經(jīng)工廠校驗(yàn)，如果需要，也可進(jìn)行完整的用戶參考校驗(yàn)。工廠校驗(yàn)及用戶校驗(yàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于模件的Flash Memory（非易失的閃爍存儲(chǔ)器）中

線性化:    J,K,L,R,B,N,T,S,PL,C,Pt100,開方及3個(gè)用戶線性化

冷端補(bǔ)償： 自動(dòng)補(bǔ)償，對(duì)環(huán)境溫度的變化提供大于30~1的抑制比或外部0℃/45℃/50℃參考.（Pt100冷端檢測(cè)電阻位于接線端子下方）

輸入阻抗:     (mV) >20MΩ/（mA）5Ω

通道隔離:      增強(qiáng)型，大264Vac

模件電源消耗:  大2W

本模件用于模擬量信號(hào)采集，可與多種傳感器接口,包括：

• 掉電保護(hù)

控制策略（應(yīng)用軟件）存儲(chǔ)于無(wú)需電源維持flash emory內(nèi)，無(wú)掉電之虞。

內(nèi)置的自動(dòng)充電電池在掉電狀態(tài)下，維持實(shí)時(shí)時(shí)鐘及存儲(chǔ)于SRAM內(nèi)的實(shí)時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù)，確保超過72小時(shí)的掉電保護(hù)；位于處理器端子板上的外接掉電保護(hù)充電電池接入端子提供更長(zhǎng)的掉電狀態(tài)下的數(shù)據(jù)及實(shí)時(shí)時(shí)鐘