產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)業(yè),地礦 |
---|---|---|---|
壽命測試范圍 | :5~10000μs |
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織SEMI標(biāo)準(F28-75)及國家標(biāo)準GB/T1553-1997設(shè)計制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法
參考價 | 面議 |
更新時間:2022-03-28 19:35:16瀏覽次數(shù):170
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
少子壽命測定儀LT-1
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織SEMI標(biāo)準(F28-75)及國家標(biāo)準GB/T1553-1997設(shè)計制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,硅單晶壽命測量ρ≥2Ω•cm,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。
少子壽命測定儀LT-1技術(shù)參數(shù)
(1)壽命測試范圍:5~10000μs;電阻率測量范圍:ρ≥2Ω•cm
測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm),電阻率范圍:ρ>0.1Ω•cm(表面可能需要拋光處理)
測量重復(fù)性誤差≤±20%
(2)光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率>20~30次/s,光脈沖關(guān)斷時間:0.2~1μs,余輝<1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶),紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長的光源
脈沖電源:5A~20A
(3)高頻源
高頻振蕩源:石英諧振器;頻率:30MHz;低輸出阻抗,輸出功率>1W
(4) 放大器和檢波器
放大倍數(shù)約25倍,頻寬:2Hz~2MHz
(5)儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶,亦可測豎放單晶橫載面的壽命
可測單晶尺寸:
斷面豎測:直徑25~150,厚度2mm~500mm
縱向臥測:直徑5mm~150mm,長度50mm~800mm