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少子壽命測定儀

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參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號 LT-1
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
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更新時間:2022-03-28 19:35:16瀏覽次數(shù):170

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)業(yè),地礦
壽命測試范圍 :5~10000μs
少子壽命測定儀LT-1

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織SEMI標(biāo)準(F28-75)及國家標(biāo)準GB/T1553-1997設(shè)計制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法

詳細介紹

少子壽命測定儀LT-1

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際組織SEMI標(biāo)準(F28-75)及國家標(biāo)準GB/T1553-1997設(shè)計制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,硅單晶壽命測量ρ≥2Ω•cm,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。

 

少子壽命測定儀LT-1技術(shù)參數(shù)

 

1)壽命測試范圍:5~10000μs;電阻率測量范圍:ρ≥2Ω•cm

 

 測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm),電阻率范圍:ρ>0.1Ω•cm(表面可能需要拋光處理)

 

 測量重復(fù)性誤差≤±20%

 

2)光脈沖發(fā)生裝置

 

 重復(fù)頻率>20~30/s,光脈沖關(guān)斷時間:0.2~1μs,余輝<1μs

 

 紅外光源波長:1.061.09μm(測量硅單晶),紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長的光源

 

 脈沖電源:5A20A

 

3)高頻源

 

 高頻振蕩源:石英諧振器;頻率:30MHz;低輸出阻抗,輸出功率>1W

 

4 放大器和檢波器

 

 放大倍數(shù)約25倍,頻寬:2Hz2MHz

 

5)儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶,亦可測豎放單晶橫載面的壽命

 

 可測單晶尺寸:

 

 斷面豎測:直徑25150,厚度2mm500mm

 

 縱向臥測:直徑5mm150mm,長度50mm800mm


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