磁控濺射儀(Magnetron Sputtering Instrument)是一種通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的物理氣相沉積儀器。
磁控濺射技術(shù)隨著其核心裝備磁控濺射設(shè)備的不斷發(fā)展，已經(jīng)應(yīng)用于復(fù)合材料、電子元器件，金屬表面處理等領(lǐng)域。對(duì)于壓制硬度、提高耐磨性，增加電子元器件的性能等方面，都有著重要的應(yīng)用。
磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氨氣或氧氣。當(dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。若磁鐵靜止，其場(chǎng)特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)場(chǎng)。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時(shí)濺射速率要減小。冷卻水管。
儀器特點(diǎn)
1.沉積速度快、基材溫升低、對(duì)膜層的損傷?。?br />
2.對(duì)于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射；不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上；
3.濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好、純度高、致密性好、成膜均勻性好；
4.能夠準(zhǔn)確控制鍍層的厚度，同時(shí)可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大?。?br />
5.易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化；
6.濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜。
通過這些主要部件和組成，磁控濺射儀能夠?qū)崿F(xiàn)高效、準(zhǔn)確地在基底上沉積均勻致密的薄膜。該技術(shù)在光學(xué)涂層、導(dǎo)電薄膜、防腐蝕涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
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