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參考價(jià)	面議

真空鍍膜機(jī)

鈣鈦礦鍍膜機(jī)

蒸發(fā)鍍膜

磁控濺射鍍膜

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產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

VTC-600GD高真空磁控濺射儀是新自主研制開發(fā)的鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。

詳細(xì)介紹

VTC-600GD 高真空磁控濺射儀是新自主研制開發(fā)的鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600GD高真空磁控濺射儀最多可選配四個(gè)靶槍，配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜，配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備，特別適用于實(shí)驗(yàn)室研究固態(tài)電解質(zhì)及OLED等。

·最多可選配四個(gè)靶槍，配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜，配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜（靶槍可以根據(jù)客戶需要任意調(diào)換）。

·可制備多種薄膜，應(yīng)用廣泛。

·體積小，操作簡(jiǎn)便。

·整機(jī)模塊化設(shè)計(jì)，真空腔室、真空泵組、控制電源分體式設(shè)計(jì)，可根據(jù)用戶實(shí)際需要調(diào)整。

·可根據(jù)用戶實(shí)際需要選擇電源，可以一個(gè)電源控制多個(gè)靶槍，也可多個(gè)電源單一控制靶槍。

產(chǎn)品名稱	VTC-600GD高真空磁控濺射儀
產(chǎn)品型號(hào)	VTC-600GD
安裝條件	本設(shè)備要求在溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶Ø6mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、工作臺(tái)：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要
主要參數(shù)	1、電源電壓：220V 50Hz 2、總功率：＜3.5KW 3、腔體內(nèi)徑：Ø300mm 4、極限真空度：< E-6mbar（配合本公司設(shè)備使用可達(dá)到?E-5mbar） 5、工作溫度：RT-500℃，精度±1℃（可根據(jù)實(shí)際需要提升溫度） 6、靶槍數(shù)量：4個(gè) 7、靶槍冷卻方式：水冷 8、靶材尺寸：Ø2″，厚度0.1mm-5mm（因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同） 9、直流濺射功率：500W（可選） 10、射頻濺射功率：300W 11、載樣臺(tái)：Ø140mm 12、載樣臺(tái)轉(zhuǎn)速：1rpm-20rpm內(nèi)可調(diào) 13、保護(hù)氣體：Ar、N2等惰性氣體 14、進(jìn)氣氣路：質(zhì)量流量計(jì)控制2路進(jìn)氣，1個(gè)流量為100 SCCM，1個(gè)流量為200 SCCM
	15、產(chǎn)品規(guī)格： ·尺寸：主機(jī)尺寸：850mm×760mm×660mm，整機(jī)尺寸：1300mm×660mm×1200mm； ·重量：190kg

序號(hào)	名稱	數(shù)量	圖片鏈接
1	直流電源控制系統(tǒng)	（可選）套	-
2	射頻電源控制系統(tǒng)	1套	-
3	膜厚監(jiān)測(cè)儀系統(tǒng)	1套	-
4	分子泵（德國(guó)進(jìn)口或者國(guó)產(chǎn)更大抽速）	1臺(tái)	-
5	冷水機(jī)	1臺(tái)	-
6	聚酯PU管（Ø6mm）	4m	-

序號(hào)	名稱	功能類別	圖片鏈接
1	金、銦、銀、鉑等各種靶材	（可選）	-
2	可選配強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。	（可選）	-