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創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備

創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備應(yīng)用背景：

創(chuàng)傷性腦損傷(TBI)仍然是導(dǎo)致死1亡和殘疾的主要原因，腦細(xì)胞電生理---記錄系統(tǒng)，每年影響全近1000萬人，細(xì)胞電生理---培養(yǎng)系統(tǒng)，美國每年約有170萬人受其影響。

TBI的破壞性行1為和功能后果包括認(rèn)知損傷、記憶喪失或損傷、意識喪失或下降、運(yùn)動障礙、昏迷、癲1癇發(fā)作和癲1癇、和死1亡。持續(xù)工作記憶的破壞是TBI---經(jīng)歷的一種---的認(rèn)知缺陷。

在成年人中，工作記憶和信息存儲的神經(jīng)相關(guān)性可能是循環(huán)網(wǎng)絡(luò)活動，這也與發(fā)育中的大腦中的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)成熟有關(guān)。在許多情況下，工作記憶缺陷是在沒有細(xì)胞死1亡或明顯結(jié)構(gòu)性損傷的情況下出現(xiàn)的，---是在輕度或中度TBI的情況下。

TBI是由腦組織變形引起的，組織應(yīng)變和應(yīng)變率被確定為損傷的重要預(yù)測指標(biāo)。然而，由于直接測量組織變形面臨的挑戰(zhàn)，很少有研究表征TBI期間的體內(nèi)組織應(yīng)變和應(yīng)變率。創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備研究的體外方法允許精1確控制機(jī)械---和細(xì)胞外環(huán)境，細(xì)胞電生理，以檢查在沒有全身影響的情況下腦實(shí)質(zhì)的反應(yīng)，同時(shí)概括大部分體內(nèi)病理。

細(xì)胞、 組織拉伸模塊：對細(xì)胞進(jìn)行牽張---加載

＊支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

＊可快速沖擊損傷拉伸或周期性拉伸

＊連續(xù)可調(diào)的牽張率和頻率

＊可以偶聯(lián)成像和電生理模塊

＊實(shí)時(shí)生成應(yīng)變曲線徑向，線性， 自定義

＊自定義應(yīng)變場

＊應(yīng)變速率---80 IS ＊---SO％的應(yīng)變＊任何拉伸圖案

＊高重復(fù)性

＊在培養(yǎng)箱中使用

我們的可拉伸 MEA 與 MEASSURE 系統(tǒng)相結(jié)合。它們增強(qiáng)了研究能力并提供了的多功能性，因?yàn)樗鼈優(yōu)檠芯咳藛T提供了獨(dú)立---化學(xué)、電氣和機(jī)械因素以更緊密地人體復(fù)雜性的方法。

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