目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>光衰減器系列>>高速光衰減器>> ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器1310nm
| 價(jià)格區(qū)間 | 1-500 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 波長 | 1260~1650nm |
簡介
高速可調(diào)光衰減器具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級，達(dá)到100ns級，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態(tài)波導(dǎo)芯片使其具備可靠性。
特性 應(yīng)用
100ns級高速響應(yīng) 通道間光功率均衡或阻塞
多至48通道單片集成 模擬信號調(diào)制
全固態(tài)波導(dǎo)芯片
超低光損耗
主要指標(biāo)（典型值）
性能指標(biāo) | 單位 | 吸收型 | 備注 |
工作波長 | nm | 1525～1565 | |
響應(yīng)時(shí)間 | ns | 100-300 | |
插入損耗 | dB | 1.2 | 光纖進(jìn)到光纖出的損耗 |
衰減范圍 | dB | 25 | |
偏振相關(guān)性 | dB | ≤0.3 | @0dB衰減時(shí) |
≤0.5 | @0~25dB衰減時(shí) | ||
功耗(@18dB衰減) | mW | 150 | 隨衰減量增大而增大 |
電壓 | V | 1.2 | |
電流 | mA | 0-35 | |
集成度 | / | 6CH/48CH |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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