硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片

〖簡(jiǎn)介Introduction〗

梓冠光電的單片集成 6 比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片

硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片

特性Features〗                                                                                            

n 高速切換

n 高延時(shí)精度

High speed switching

High delay accuracy

n 超小尺寸

Ultra-small size

n 超寬帶工作

Ultra-broadband operation

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)

All solid-state waveguide chip of high

〖應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子對(duì)抗系統(tǒng)

Optically controlled phased array radar system、Electronic warfare system(EWS)

〖主要性能指標(biāo) Specifications〗

〖2×2 光開(kāi)關(guān)（圖 1）的“交叉"、“直通"傳輸狀態(tài)定義如下〗

〖The "Cross" and "Bar" transmission states of the 2×2 optical switch (Figure 1) is defined as follows〗

“交叉"狀態(tài)（Cross 態(tài)）：從輸入 A 端輸入，輸出端 D 有光信號(hào)輸出，輸出端 C 沒(méi)有光信號(hào)輸出時(shí)，即為"交叉“態(tài)（A→D）；類(lèi)似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 C 光信號(hào)輸出，輸出端 D 沒(méi)有光信號(hào)輸出，也為"交叉“態(tài)（B→C）。

“直通"態(tài)（bar 態(tài)）：從輸入端 A 處輸入，輸出端 C 有輸出光信號(hào)，輸出端 D 沒(méi)有光信號(hào)輸出時(shí)，即為"直通“態(tài)（A→C）；類(lèi)似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 D 有光信號(hào)輸出，輸出端 C 沒(méi)有光信號(hào)輸出，也為“直通"態(tài)（B→àD。