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無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第20年

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當(dāng)前位置:無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司>>制冷加熱控溫系統(tǒng)>>高低溫一體機(jī)>> SUNDI-320物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置

物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置

參   考   價(jià): 156448

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)SUNDI-320

品       牌冠亞制冷

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地無錫市

更新時(shí)間:2024-04-26 11:42:53瀏覽次數(shù):316次

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 10萬(wàn)-20萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合
【無錫冠亞】物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置,應(yīng)用于對(duì)玻璃反應(yīng)釜、金屬反應(yīng)釜、生物反應(yīng)器進(jìn)行升降溫、恒溫控制,尤其適合在反應(yīng)過程中有需熱、放熱過程控制。解決化學(xué)醫(yī)藥工業(yè)用準(zhǔn)確控溫的特殊裝置,用以滿足間歇反應(yīng)器溫度控制或持續(xù)不斷的工藝進(jìn)程的加熱及冷卻、恒溫系統(tǒng)。

物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置


無錫冠亞冷熱一體機(jī)典型應(yīng)用于:

高壓反應(yīng)釜冷熱源動(dòng)態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應(yīng)釜冷熱源動(dòng)態(tài)恒溫控制、

雙層反應(yīng)釜冷熱源動(dòng)態(tài)恒溫控制、微通道反應(yīng)器冷熱源恒溫控制;

小型恒溫控制系統(tǒng)、蒸飽系統(tǒng)控溫、材料低溫高溫老化測(cè)試、

組合化學(xué)冷源熱源恒溫控制、半導(dǎo)體設(shè)備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制




型號(hào)

SUNDI-125

SUNDI-125W

SUNDI-135

SUNDI-135W

SUNDI-155

SUNDI-155W

SUNDI-175

SUNDI-175W

SUNDI-1A10

SUNDI-1A10W

SUNDI-1A15

SUNDI-1A15W

介質(zhì)溫度范圍

-10℃~+200℃

控制系統(tǒng)

前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器

溫控模式選擇

物料溫度控制與設(shè)備出口溫度控制模式 可自由選擇

溫差控制

設(shè)備出口溫度與反應(yīng)物料溫度的溫差可控制、可設(shè)定

程序編輯

可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟

通信協(xié)議

MODBUS RTU 協(xié)議  RS 485接口

外接入溫度反饋

PT100或4~20mA或通信給定(默認(rèn)PT100)

溫度反饋

設(shè)備導(dǎo)熱介質(zhì) 溫度、出口溫度、反應(yīng)器物料溫度(外接溫度傳感器)三點(diǎn)溫度

導(dǎo)熱介質(zhì)溫控精度

±0.5℃

反應(yīng)物料溫控精度

±1℃

加熱功率 kW

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

制冷量 kW

200℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

20℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

-5℃

1.5

2.1

3.3

4.2

6

9

流量壓力 max

L/min bar

20

35

35

50

50

75

2

2

2

2

2

2.5

壓縮機(jī)

海立

艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機(jī)

膨脹閥

丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥

蒸發(fā)器

丹佛斯/高力板式換熱器

操作面板

7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄

安全防護(hù)

具有自我診斷功能;冷凍機(jī)過載保護(hù);高壓壓力開關(guān),過載繼電器、熱保護(hù)裝置等多種安全保障功能。

密閉循環(huán)系統(tǒng)

整個(gè)系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng),高溫時(shí)不會(huì)有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統(tǒng)在運(yùn)行中不會(huì)因?yàn)楦邷厥箟毫ι仙?,低溫自?dòng)補(bǔ)充導(dǎo)熱介質(zhì)。

制冷劑

R-404A/R507C

接口尺寸

G1/2

G3/4

G3/4

G1

G1

G1

水冷型 W

溫度 20度

600L/H

1.5bar~4bar

G3/8

800L/H

1.5bar~4bar

G1/2

1000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1200L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1600L/H

1.5bar~4bar

G3/4

2000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

外型尺寸(水)cm

45*65*120

50*85*130

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

外形尺寸 (風(fēng))cm

45*65*120

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

70*100*175

隔爆尺寸(風(fēng)) cm

45*110*130

45*110*130

45*110*130

55*120*170

55*120*170

55*120*170

正壓防爆(水)cm

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

120*110*195

常規(guī)重量kg

115

165

185

235

280

300

電源 380V 50HZ

AC 220V 50HZ 3.6kW

5.6kW

7.5kW

10kW

13kW

20kW

選配風(fēng)冷尺寸cm

/

50*68*145

50*68*145

50*68*145

/

/


 

 

 

 

  隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體行業(yè)制程工藝過程中,高低溫控溫設(shè)備扮演著一定的角色。本文將探討半導(dǎo)體行業(yè)用高低溫控溫設(shè)備在該行業(yè)的應(yīng)用。

  一、高低溫控溫設(shè)備的重要性

  在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,許多工藝步驟需要在特定的溫度環(huán)境下進(jìn)行。例如,某些材料的生長(zhǎng)、薄膜的沉積、晶圓的蝕刻等過程都需要準(zhǔn)確控制溫度。過高或過低的溫度都可能導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量下降,甚至導(dǎo)致生產(chǎn)失敗。因此,高低溫控溫設(shè)備對(duì)于保證半導(dǎo)體生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。

  二、高低溫控溫設(shè)備的應(yīng)用

  1、生長(zhǎng)和沉積過程:在半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)和薄膜的沉積過程中,需要準(zhǔn)確控制溫度以保證材料的結(jié)構(gòu)和性能。高低溫控溫設(shè)備能夠提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境,從而確保這些過程的順利進(jìn)行。

  2、晶圓蝕刻:晶圓蝕刻是半導(dǎo)體制造過程中的步驟之一。在這個(gè)過程中,需要準(zhǔn)確控制溫度以保證蝕刻劑的活性和蝕刻速率。高低溫控溫設(shè)備能夠滿足這一需求,從而確保晶圓蝕刻的質(zhì)量和效率。

  3、測(cè)試和封裝:在半導(dǎo)體產(chǎn)品的測(cè)試和封裝過程中,也需要準(zhǔn)確控制溫度。高低溫控溫設(shè)備能夠提供各種測(cè)試所需的溫度環(huán)境,從而確保產(chǎn)品的性能和可靠性。

總之,高低溫控溫設(shè)備為半導(dǎo)體生產(chǎn)提供了穩(wěn)定的溫度環(huán)境,從而保證了生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。




  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

TT物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置

物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置


物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置





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