腦電性能測(cè)試儀SEEG100，專為醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的，符合 IEC 80601-2-26:2019 國際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)符合性及產(chǎn)線測(cè)試
腦電性能測(cè)試儀SEEG100
概述
依據(jù)最新的 EEG 國際法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) IEC 80601-2-26:2019 所設(shè)計(jì)
精密電路設(shè)計(jì)，可輸出 1µV 微小訊號(hào)
9 信道自動(dòng)切換開關(guān)可作個(gè)別信道的性能測(cè)試
內(nèi)建 620kΩ / 4.7nF 輸出阻抗測(cè)試的 EEG 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路
可做為 EEG 訊號(hào)播放器，可播放 PhysioNet EDF、text、binary 格式的波形訊號(hào)
IEC 80601-2-26 小幫手可簡(jiǎn)化法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所需花費(fèi)的人力與時(shí)間
提供軟件開發(fā)工具包（Software Development Kit，SDK），用戶可自行開發(fā)客制或全自動(dòng)化測(cè)試軟件
規(guī)格
參數(shù)規(guī)格
主輸出電壓精確度50 µVpp 或更高的振幅，精細(xì)度需在 ±1％ 內(nèi)
主輸出電壓分辨率（DAC 分辨率）0.5µV
頻率/脈沖精確度±1%
脈沖間期/時(shí)間精確度±1ms
電阻精確度±1%
電容精確度±5%
精密 500:1 分壓器±0.2%
取樣率5kHz ± 0.1%
直流偏移（內(nèi)部超級(jí)電容提供的固定電壓、無噪聲偏移）150mV ± 1%
直流偏移（細(xì)調(diào)，最多可包含 50μVpp 噪聲）設(shè)定 ±1% 或 ±3mV
電源供應(yīng)USB +5V 直流電源（不需要再外加其他電源）0.5A（高功率模式）
環(huán)境15 ~ 30°C（理論值）
30 ~ 80% RH（理論值）
安全性
電磁兼容性（EMC）沒有適用的安全標(biāo)準(zhǔn)（最大內(nèi)部電壓 12Vdc） 尚未進(jìn)行 EMC 測(cè)試。 符合 CE 標(biāo)志，并有作 USB IC 的保護(hù)，及特殊的濾波器，以減少來自微處理器（8MHz）和 DC / DC 轉(zhuǎn)換器（200kHz）的噪聲。
腦電性能測(cè)試儀SEEG100
