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電路設(shè)計(jì)中如何防止靜電放電？

我們的手都曾有過靜電放電(ESD)的體驗(yàn)，即使只是從地毯上走過然后觸摸某些金屬部件也會在瞬間釋放積累起來的靜電。我們許多人都曾抱怨在實(shí)驗(yàn)室中使用導(dǎo)電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來滿足工業(yè)ESD標(biāo)準(zhǔn)。我們中也有不少人曾經(jīng)因?yàn)榇中拇笠馐褂梦词鼙Ｗo(hù)的電路而損毀昂貴的電子元件。

對某些人來說ESD是一種挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰谔幚砗徒M裝未受保護(hù)的電子元件時(shí)不能造成任何損壞。這是一種電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰ＷC系統(tǒng)承受住ESD的沖擊，之后仍能正常工作，更好的情況是經(jīng)過ESD事件后不發(fā)生用戶可覺察的故障。

與人們的常識相反，設(shè)計(jì)人員可以讓系統(tǒng)在經(jīng)過ESD事件后不發(fā)生故障并仍能繼續(xù)運(yùn)行。將這個(gè)目標(biāo)謹(jǐn)記在心，下面讓我們更好地理解ESD沖擊時(shí)到底發(fā)生了什么，然后介紹如何設(shè)計(jì)正確的系統(tǒng)架構(gòu)來應(yīng)對ESD。

簡單模型

將一個(gè)電容充電到高電壓(一般是2kV至8kV)，然后通過閉合開關(guān)將電荷釋放進(jìn)準(zhǔn)備承受ESD沖擊的“受損"器件(圖1)。電荷的極性可以是正也可以是負(fù)，因此必須同時(shí)處理好正負(fù)ESD兩種情況。

圖1：板級ESD通常涉及機(jī)器模型(MM)和人體模型(HBM)

破壞受損電路的高瞬態(tài)電壓一般具有幾個(gè)納秒的上升時(shí)間和大約100納秒的放電時(shí)間受損電路不同，對正負(fù)沖擊的敏感性可能也有很大的不同，因此你需要同時(shí)處理好正負(fù)沖擊。人體模型(HMB)和機(jī)器模型(MM)這兩種最常見模型之間的區(qū)別主要在于串聯(lián)電阻。人體模型的導(dǎo)電性沒有金屬那么好。

防止過壓損壞的最佳保護(hù)措施是用非線性電路進(jìn)行限壓或鉗位(圖2)。常用的是專門的二極管，當(dāng)它們在前向偏置或處于齊納擊穿區(qū)時(shí)具有很低的阻抗。引入限壓器可以快速引起某些別的事件，因?yàn)橥ㄟ^電容放電會有大的浪涌電流經(jīng)過限壓器。

圖2：基本的限壓電路可以防止過壓損壞

雖然消除了高瞬態(tài)電壓，但代之以幾個(gè)安培的浪涌電流可能會導(dǎo)致系統(tǒng)中出現(xiàn)其它問題。具體取決于隨后路徑的總阻抗，浪涌電流可以達(dá)到幾個(gè)安培。在為芯片設(shè)計(jì) I/O單元時(shí)，經(jīng)?？吹?A至16A的浪涌電流進(jìn)入器件。處理如此巨大的瞬態(tài)浪涌電流已經(jīng)成為ESD設(shè)計(jì)中的大問題。限制電壓還算比較容易，但形成的電流可能使系統(tǒng)中其它地方的電路和地發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

被限壓器強(qiáng)制導(dǎo)入地的電流將在系統(tǒng)的那個(gè)節(jié)點(diǎn)中產(chǎn)生感應(yīng)性振鈴現(xiàn)象(圖3)。電源通常沿著地線傳播，并且是電源去耦電容的函數(shù)，因此系統(tǒng)核心仍能正常工作。不過連到電路板上的控制線可能出現(xiàn)混亂，因?yàn)樗鼈兪窍鄬Π逋獾牡囟⒌?。結(jié)果可能在某個(gè)位置發(fā)生ESD事件，并致使電路板上的某個(gè)輸入端看起來出現(xiàn)故障。

 堡壘的作用

利用板級ESD，你可以嘗試建立一個(gè)堡壘，并在“護(hù)城河"上建立多個(gè)受控的接入點(diǎn)。連接到“城墻"之外的部分可以被廣義地分成幾個(gè)類別：協(xié)議受控的數(shù)據(jù)、低帶寬檢測和控制線以及高速接口。前兩個(gè)比較容易處理，第三個(gè)具有一定程度的挑戰(zhàn)性。讓這三部分免遭ESD破壞有幾種不同的方法。

不管最終產(chǎn)品是什么樣，某種形式的保護(hù)性外殼將成為設(shè)備的一部分。隔離外殼內(nèi)的電路是需要仔細(xì)考慮的第一道防線。在理想情況下，連接電路板的金屬外殼通常能起使用，但現(xiàn)代產(chǎn)品經(jīng)常采用非導(dǎo)電性的塑料或其它現(xiàn)代材料。

電路設(shè)計(jì)人員通常沒法控制建造城墻的材料，但對保護(hù)堡壘負(fù)有不可推卸的責(zé)任。在設(shè)計(jì)外殼時(shí)需要注意，到達(dá)機(jī)箱外部任何部分的ESD都會有無數(shù)路徑進(jìn)入內(nèi)部電路。

建立一個(gè)PCB能夠自我防止ESD沖擊的堡壘可以從低阻抗的接地方法開始。建立一個(gè)地基和正常的電源完整性可以讓印刷電路板(PCB)保持整個(gè)板上的信號完整性，即使是受到巨大的地浪涌電流沖擊的時(shí)候。

作為一個(gè)設(shè)計(jì)工程師，你會要求每個(gè)人系好他們的安全帶，這樣可以對付少量的氣流。飛機(jī)可能快速地上下擺動，但如果每個(gè)人都系好了安全帶，那么所有人都會固定在原位，飛機(jī)也會繼續(xù)飛行。在這之后，你需要保護(hù)外部連接，并限制ESD事件效應(yīng)。

保護(hù)電路應(yīng)該位于電路板入口位置，而不是入口點(diǎn)的下游。需要處理的可能是電弧問題引起的數(shù)千伏電位，或者最好在電路板邊緣位置處理的數(shù)安培的浪涌電流。

 TVS限壓器

瞬態(tài)電壓抑制(TVS)限制二極管可以用作限壓器。它們分為普通電壓、邏輯電平和電源電壓。常見的電壓種類有：12V、5V、3.3V、2.5V、1.8V和1.2V。

這個(gè)數(shù)字應(yīng)該看起來比較熟悉，因?yàn)檫@些器件是專門針對與許多CMOS器件有關(guān)的需求設(shè)計(jì)的。一種規(guī)格不可能滿足所有需求，它們應(yīng)該是適合要保護(hù)器件的正確電壓。
現(xiàn)代CMOS工藝顯著降低了電源電壓，以保護(hù)沒有很多設(shè)計(jì)余量且電壓范圍有限的晶體管，這點(diǎn)值得我們尊敬。這些器件一般使用代工工藝制造，這種代工工藝可以用小型封裝提供具有低阻抗特性的大電流器件。<
在輸入線上放置TVS限壓器可以保護(hù)輸入端免遭ESD的破壞性損害(圖4)。但這種限壓器無法處理在主機(jī)處理時(shí)發(fā)生的信號混亂現(xiàn)象，也無法處理由于巨大的地電流浪涌而發(fā)生的逆轉(zhuǎn)效應(yīng)。

圖4：簡單的限壓電壓可以提供過壓保護(hù)，但可能導(dǎo)致浪涌電流問題。浪涌電流應(yīng)該被限制，而信號應(yīng)該保持相對局部地的穩(wěn)定性

如前所述，HBM和MM之間的性能區(qū)別是非常大的。在許多情況下，在TVS器件之前增加一些串聯(lián)電阻有助于限制電流浪涌，并減少地線反彈。與HBM一樣，最終結(jié)果是減少系統(tǒng)應(yīng)力。

通常帶寬限制本身不會解決ESD問題。低通濾波器對小型ESD的衰減也要求60dB至150dB才能消除瞬態(tài)電壓，這對簡單的無源濾波器來說是很難做到的。TVS限壓器可以將信號下拉到電源軌之間。
然后一階RC電路可以用來保持信號的完整性(圖4)。電容也可以穩(wěn)定相對于局部地的輸入電壓。這種方法可以很好地保護(hù)數(shù)量很多的低帶寬輸入，包括“設(shè)置并忘記的"控制線、傳感器輸入和類似對象。
雖然我們討論的大部分內(nèi)容是保護(hù)PCB的輸入端口，但輸出端口保護(hù)也是類似的。TVS限壓器和附加電阻在這里也很合適。限制電壓有助于防止半導(dǎo)體損壞，并保護(hù)具有電壓限制的其它部件。

串聯(lián)電阻也有助于地的穩(wěn)定。此外，讓ESD浪涌電流遠(yuǎn)離數(shù)字芯片的I/O單元可以防止芯片內(nèi)部出現(xiàn)地線反彈，從而允許處理器在外部限壓器吸收浪涌電流沖擊時(shí)保持正常工作。

 芯片內(nèi)部的ESD

基于多種原因，IC內(nèi)部的ESD保護(hù)功能有些折衷。硅片和金屬都針對IC的核心功能作了優(yōu)化，不適合用于大電流工作。專門的TVS器件使用針對大電流電路優(yōu)化過的硅片，具有比普通CMOS中的PN結(jié)更高的性能。

另外，具有大電流ESD保護(hù)功能的I/O單元會占用相當(dāng)大的空間，從而推升IC成本。而且IC上的高頻引腳通常沒辦法附加大尺寸的ESD保護(hù)電路，因?yàn)樗鼤a(chǎn)生容性負(fù)載。 作為一般經(jīng)驗(yàn)，芯片內(nèi)部的ESD保護(hù)程度只是足以完成IC生產(chǎn)并焊接到PCB上，但缺少應(yīng)用環(huán)境通常需要的魯棒性保護(hù)性能。如果連接需要離開PCB，通常需要利用外部裝置進(jìn)行進(jìn)一步的保護(hù)。

 數(shù)據(jù)通信端口

正確設(shè)計(jì)的通信端口會使用魯棒性的協(xié)議，協(xié)議中包含了通用使用循環(huán)冗余檢查(CRC)編碼來測試數(shù)據(jù)的完整性。以太網(wǎng)、USB和CAN總線都開發(fā)了 CRC編碼并隨數(shù)據(jù)一起傳送。設(shè)計(jì)正確的接收器將檢查CRC編碼是否匹配所發(fā)送的數(shù)據(jù)。如果不匹配，表示要么數(shù)據(jù)要么CRC編碼發(fā)生了錯(cuò)誤，將發(fā)出重新發(fā) 送數(shù)據(jù)的請求。

由于ESD事件持續(xù)時(shí)間不到100ns，因此CRC檢查、驗(yàn)證和重新發(fā)送過程通常以不可見的方式處理ESD。最終用戶一般從未意識到損壞的信息得到了糾正。其它一些協(xié)議的結(jié)構(gòu)中沒有保護(hù)措施。

I2C、串行外設(shè)接口(SPI)和系統(tǒng)管理總線(SMBus)通信設(shè)計(jì)在PCB上工作，無法驗(yàn)證和糾正數(shù)據(jù)。如果有些數(shù)據(jù)要離開電路板，確保你有方法驗(yàn)證數(shù)據(jù)的有效性。
大多數(shù)現(xiàn)代通信路徑采用差分方式，即使用某種形式的低壓差分信號(LVDS)。每個(gè)LVDS連接需要像所有其它信號一樣受到TVS保護(hù)。磁場隔離(以太網(wǎng)常用)和共模扼流圈有助于解決由于ESD事件中的地線反彈產(chǎn)生的共模變化問題。在輸入信號與PCB不共享同一個(gè)地時(shí)，應(yīng)該采取光學(xué)隔離或磁場隔離措施。

要求完善的數(shù)據(jù)完整性但不包含誤碼檢查的高速數(shù)據(jù)流在防止ESD沖擊方面難度特別大。理解器件如何提供高于1GB/s的串行數(shù)據(jù)速率和完整的通信協(xié)議保護(hù)可以避免這個(gè)問題。

離開或進(jìn)入電路板的任何模擬信號都需要基本的TVS保護(hù)。需要考慮連接通道的帶寬以判斷下一步應(yīng)采取其它什么措施。大多數(shù)模擬控制信號、運(yùn)動控制系統(tǒng)、音頻和指示燈不需要更多的措施，因?yàn)樗闷骷捻憫?yīng)時(shí)間較長。射頻前端是通信通道的物理層，由作為協(xié)議一部分的檢錯(cuò)機(jī)制提供自我糾正。

硬件只能提供這么多保護(hù)。如果系統(tǒng)中心的某個(gè)處理器需要完成控制，那么還需要一些選項(xiàng)。這里介紹的技術(shù)能使你的處理器不再丟失，或需要經(jīng)過復(fù)位周期。在這個(gè)主機(jī)控制下到底發(fā)生了什么則是需要考慮的另外一回事。

一般來說，你需要在處理器代碼中編入一些智能，以便它能識別錯(cuò)誤的信息并進(jìn)行正確的處理。通過時(shí)分輪詢端口可以方便地解決慢速檢測和控制線問題。由于ESD事件非常短暫，如果對幾個(gè)毫秒內(nèi)的多個(gè)樣本來說端口上的數(shù)據(jù)保持穩(wěn)定，那么系統(tǒng)就不存在ESD這種災(zāi)難性事件。
此外，作為再現(xiàn)過程的一部分，輸出可以被刷新。如果處理器是存儲器單元這一步是不需要的，但如果數(shù)據(jù)是通過遠(yuǎn)程鎖定的，那就需要用刷新例程來管理破壞事件。

推薦型號：

靜電放電模擬器

SESD 216（電壓范圍：200V~16.5kV）

SESD 230（電壓范圍：500V~30kV）

SESD 30000（電壓范圍：1kV~30kV）

ESD - Test System 30 kV

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