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深圳市育創(chuàng)科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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HUSTEC-1200A-MT-大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
  • HUSTEC-1200A-MT-大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
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貨物所在地:廣東深圳市

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更新時(shí)間:2023-12-11 11:21:39

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華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車,風(fēng)力發(fā)電,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

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大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀



產(chǎn)品介紹

深圳市華科智源科技有限公司是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳,業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 , 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電 ,變頻器, 焊機(jī)行業(yè)的  IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。


主要特點(diǎn)

A:測(cè)量多種IGBT、MOS管

B:最大脈沖電流1200A,電壓5KV,大功率測(cè)試

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測(cè)量精度2mV

E:Vce測(cè)量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降


測(cè)試項(xiàng)目
A:ICES  集電極-發(fā)射極漏電流
B:IGESF 正向柵極漏電流  IGESR 反向柵極漏電流
C:BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
D:VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
E:VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
F:ICON 通態(tài)電極電流
G:VGEON 通態(tài)柵極電壓
H:VF 二極管正向?qū)▔航?/span>


Vce-Ic特征曲線



Vgth-Vce特征曲線







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