目錄:天津瑞坤儀器有限公司>>四.核生化系統(tǒng)的產(chǎn)品>>生物/口部生物報(bào)警器>> 公寓人防生物戰(zhàn)劑報(bào)警器G-N32E天道
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更新時(shí)間:2024-05-24 09:57:33瀏覽次數(shù):474評(píng)價(jià)
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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高壓電源
由于高壓的波動(dòng)會(huì)引起放大倍數(shù)波動(dòng)高一個(gè)數(shù)量級(jí),因此對(duì)電壓穩(wěn)定性的要求比放大倍數(shù)穩(wěn)定性要求高一個(gè)數(shù)量級(jí)。特別作能譜測(cè)量,譜峰位置的穩(wěn)定性十分重要(一個(gè)高壓穩(wěn)定性為0.2‰的高壓電源,取道址為256道時(shí),峰飄小于半道)。
NaI單晶譜儀γ譜的生成公寓人防生物戰(zhàn)劑報(bào)警器G-N32E天道
當(dāng)γ射線的能量全部耗盡在NaI閃爍體內(nèi)時(shí),探測(cè)器輸出的脈沖幅度與入射的γ光子能量成正比,由此可根據(jù)脈沖幅度譜來測(cè)定γ光子的能譜。
1、一個(gè)單核素公寓人防生物戰(zhàn)劑報(bào)警器G-N32E天道
Cs的譜的生成137Cs的662kev能譜包括三個(gè)峰和一個(gè)平臺(tái)(典型)137
A—全能峰,662kev直接反映γ射線能量,由光電效應(yīng)及多次效應(yīng)的貢獻(xiàn);
B—康普頓坪,為散射光子逃出NaI后留下的一個(gè)能量連續(xù)的電子譜,該坪有
個(gè)邊界,應(yīng)在470kev左右;
C—反散射峰,它是由于在NaI中未經(jīng)吸收穿出的γ光子,在閃爍體后面物質(zhì)上
發(fā)生康普頓效應(yīng),反散射光子回NaI中,通過光電效應(yīng)被記錄,由前述,它的能量總在
200kev左右。
D—Ba的χ射線峰,由于Cs發(fā)生β衰變后,Ba的激發(fā)態(tài)放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子,在137137137K層造成空位,外層電子躍遷而成。實(shí)際譜圖中,C峰和D峰可能較弱而并不明顯。
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