產(chǎn)品名稱：SENTECH激光橢偏儀SE 500adv

產(chǎn)品型號(hào)：SE 500adv

產(chǎn)品介紹

SENTECH SE 500adv 可作為激光橢偏儀、膜厚探頭和 CER 橢圓偏振儀使用。因此，它具有標(biāo)準(zhǔn)激光橢偏儀所不具備的靈活性。作為橢偏儀使用時(shí)，可進(jìn)行單角度和多角度測(cè)量。作為薄膜厚度探頭使用時(shí)，可在正常入射條件下測(cè)量透明或弱吸收薄膜的厚度。SE 500adv 中的橢偏儀和反射儀（CER）組合包括橢偏儀光學(xué)鏡組、測(cè)角儀、組合式反射測(cè)量頭和自動(dòng)準(zhǔn)直望遠(yuǎn)鏡、樣品平臺(tái)、氦氖激光源、激光光檢測(cè)單元和光度計(jì)。

性能特點(diǎn)

l 準(zhǔn)確無誤的厚度測(cè)定：將橢偏儀和反射儀結(jié)合使用，可通過自動(dòng)識(shí)別循環(huán)厚度周期，快速、準(zhǔn)確地測(cè)定透明薄膜的厚度。

l 大的測(cè)量范圍：激光橢偏儀和反射儀的組合將透明薄膜的厚度范圍擴(kuò)大到 25 µm 或更多，具體取決于所選的光度計(jì)選項(xiàng)。

l 突破激光橢偏儀的限制：多角度手動(dòng)測(cè)角儀具有高的性能和角度精度，可測(cè)量單層薄膜和層堆的折射率、消光系數(shù)和薄膜厚度。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地：德國

波長：632.8 nm HeNe 激光器（< 1mW）

薄膜厚度精度：硅上 100 納米二氧化硅的 0.01 納米

折射率精度偏差：5x10-4（100 nm SiO2 on Si）

透明層的總厚度范圍：max.6 µm

弱吸收層（多晶硅）的總厚度范圍：max.2 µm

默認(rèn)層數(shù)：層疊或基底上的 1-3 層

測(cè)量時(shí)間：120 毫秒 ..... 1.5 秒（取決于測(cè)量模式）

激光束直徑：1 毫米

入射角：手動(dòng)測(cè)角儀

40° - 90°，以 5° 為單位設(shè)置

樣品校準(zhǔn)：自動(dòng)準(zhǔn)直望遠(yuǎn)鏡 (ACT)，用于調(diào)整樣品傾斜度和高度

產(chǎn)品應(yīng)用

測(cè)繪范圍達(dá) 200 毫米

用于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量的液體電池

攝像機(jī)

自動(dòng)對(duì)焦

電動(dòng)測(cè)角儀

SpectraRay 4.0 仿真軟件

經(jīng)過認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)晶片