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更新時(shí)間：2025-01-26 21:00:07
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EGe：N型同軸鍺探測(cè)器（GR系列）簡(jiǎn)介
N型同軸鍺探測(cè)器（GR系列探測(cè)器）在幾何形狀上與其他同軸鍺探測(cè)器相似，但有一個(gè)重要區(qū)別。REGe探測(cè)器的電極與傳統(tǒng)的同軸探測(cè)器相反，即p型電極（離子注入硼）位于外側(cè)，而n型接觸（擴(kuò)散鋰）位于內(nèi)側(cè)。這種電極排列有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)——窗口厚度和抗輻射損傷能力。
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EGe：N型同軸鍺探測(cè)器（GR系列）特點(diǎn)
1、能量范圍3 keV~＞10 MeV
2、超薄離子注入接觸的設(shè)計(jì)
3、具有抗輻射損傷能力
4、具有出色的時(shí)間分辨率
5、二極管FET保護(hù)
6、配備了智能前置放大器
7、預(yù)熱/高壓關(guān)閉
8、USB 2.0 串行接口
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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