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更新時(shí)間：2024-07-10 15:23:09瀏覽次數(shù)：968評(píng)價(jià)
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晶圓缺陷檢測(cè)：寬場(chǎng)熒光顯微成像模組
Wide-field Fluorescence Microscope Module
晶圓缺陷檢測(cè)：寬場(chǎng)熒光顯微成像模組以自動(dòng)化顯微鏡模組為基礎(chǔ)，針對(duì) SiC 等化合物半導(dǎo)體晶圓位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷檢測(cè)需求。
無(wú)須化學(xué)腐蝕、解理等樣品前處理工藝，非接觸、無(wú)損、整晶圓檢測(cè)。
產(chǎn)品特性和核心技術(shù)：
激光自動(dòng)聚焦。
自主研制的激光輔助離焦量傳感器。
可在紫外激發(fā)光照射樣品并采集熒光信號(hào)的同時(shí)工作，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)聚焦和表面跟蹤。
紫外暗場(chǎng)照明。
標(biāo)配波長(zhǎng) 275 nm 紫外激發(fā)光，可按用戶要求定制其它波長(zhǎng)激發(fā)光。
可同位采集明場(chǎng)顯微像、可見(jiàn)光波段暗場(chǎng)熒光像、紅外波段暗場(chǎng)熒光像，分析樣品中位錯(cuò)、層錯(cuò)等。
晶格缺陷的分布。
全自動(dòng)操作。
自動(dòng)化的控制軟件和數(shù)據(jù)處理軟件，全軟件操作。
相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：
《中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) GB_T 43493.3-2023 半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第 3 部分：缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法》（2023 年 12 月 28 日發(fā)布，2024 年7月1日實(shí)施）
性能參數(shù)：
應(yīng)用案例：
6 英寸 SiC 外延片缺陷檢測(cè)
堆疊層錯(cuò)（SF）
基面位錯(cuò)（BPD）
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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