InGaAs和Ge紅外探測器的差異

InGaAs和Ge光電二極管探測器都普遍應(yīng)用于紅外（近紅外）波段。Newport提供各種可溯源NIST的InGaAs和Ge探測器（例如：低功率校準(zhǔn)光電二極管探測器918D和818系列）。這些探測器的參數(shù)很相近，除了一些關(guān)鍵部分：如分流電阻和芯片電容。然而，這些差異導(dǎo)致了很大的性能和價(jià)格差異。

分流電阻

分流電阻hao是無限大，但是每個(gè)光電二極管有一個(gè)有限值，產(chǎn)生Johnson噪聲，這個(gè)Johnson噪聲跟分流電阻成反比。因此，為了小化噪聲，需要在測量系統(tǒng)中設(shè)計(jì)大可能的電阻值。Ge和InGaAs有所不同，InGaAs探測器的分流電阻達(dá)到10M?量級，而Ge探測器的分流電阻在k?量級，小了若干個(gè)量級。因此，Ge探測器會比InGaAs探測器呈現(xiàn)出更高的噪聲。

有效面積越大越好？

有些廠商的Ge探測器有效面積很大，但用戶們需注意，更大的有效面積會導(dǎo)致更大的暗電流和更小的分流電阻，越小的分流電阻會引起更高的熱噪聲，越大的暗電流會引起更高的散粒噪聲。Ge的暗電流比InGaAs的暗電流高很多，大的有效面積可能引入高噪聲電流。Newport的Ge探測器的有效面積為3mm，相比于5mm的二極管，如果其他都相同，3mm二極管的分流電阻值會大3倍，而暗電流則小3倍。

Newport 918D/818系列InGaAs和Ge探測器的參數(shù)對比

了解更多產(chǎn)品信息，請聯(lián)系我們~~

森泉為您的科研事業(yè)添磚加瓦：

1）  激光控制：激光電流源、激光器溫控器、激光器控制、伺服設(shè)備與系統(tǒng)等等

2）  探測器：光電探測器、單光子計(jì)數(shù)器、單光子探測器、CCD、光譜分析系統(tǒng)等等

3）  定位與加工：納米定位系統(tǒng)、微納運(yùn)動系統(tǒng)、多維位移臺、旋轉(zhuǎn)臺、微型操作器等等

4）  光源：半導(dǎo)體激光器、固體激光器、單頻激光器、單縱模激光器、窄線寬激光器、光通訊波段激光器、CO2激光器、中紅外激光器、染料激光器、飛秒超快激光器等等

5）  光機(jī)械件：用于光路系統(tǒng)搭建的高品質(zhì)無應(yīng)力光機(jī)械件，如光學(xué)調(diào)整架、鏡架、支撐桿、固定底座等等

6）  光學(xué)平臺：主動隔振平臺、氣浮隔振臺、實(shí)驗(yàn)桌、剛性工作臺、面包板、隔振、隔磁、隔聲綜合解決方案等等

7）  光學(xué)元件：各類晶體、光纖、偏轉(zhuǎn)鏡、反射鏡、透射鏡、半透半反鏡、濾光片、衰減片、玻片等等

8） 染料：激光染料、熒光染料、光致變色染料、光致發(fā)光染料、吸收染料等等