HBM利用將DRAM層層堆疊來提升存儲器帶寬，是一種立方體的3D裝置。目前HBM僅打入少數(shù)高階系統(tǒng)，但在數(shù)據(jù)密集的工作負(fù)載如游戲和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用逐漸獲得重視。當(dāng)前的HBM技術(shù)仍無法滿足未來的帶寬需求，因此供應(yīng)商正研究數(shù)個新技術(shù)。其中包括采用HBM2E規(guī)格的新版HBM目前已經(jīng)送樣，下一個版本HBM3仍處于研發(fā)階段。

HBM通常出現(xiàn)于2.5D的高階封裝類型，其它封裝選項(xiàng)如扇出式和橋接也使用這種技術(shù)。在研發(fā)上，供應(yīng)商正使用新的接合方式來打造*HBM，并且也開發(fā)新的3D DRAM技術(shù)，即所謂的3DS(3顆芯片堆疊)DRAM。

目前技術(shù)研發(fā)工作聚焦的重點(diǎn)在于突破當(dāng)前封裝的限制。例如2.5D的微凸塊是相當(dāng)微小的架構(gòu)，引腳間距僅40微米(μm)，未來間距可能縮小至20μm，甚至10μm，然后突塊和支柱長寬比例變得難以控制。所以在20μm到10μm時，產(chǎn)業(yè)需要新的互連解決方案，例如銅混合接合(copper hybrid bonding)，利用銅對銅直接對街技術(shù)，如此將可省略凸塊和支柱。

這將催生新等級2.5D封裝、3D-IC和HBM，時間很可能落在2021年或更早。銅對銅直接對接并非新技術(shù)，多年來已被用于CMOS影像傳感器(CIS)，但移入*封裝堆疊卻是一項(xiàng)挑戰(zhàn)，而且涉及復(fù)雜的制造流程。

臺積電等制造廠仍投入開發(fā)銅接合技術(shù)，也有業(yè)者藉助Xperi的「直接對接互連」(Direct Bond Interconnect；DBI)技術(shù)，能讓間距縮小至1μm?；旌辖雍霞夹g(shù)能用來連接兩個晶圓，或?qū)⑿酒B接到晶圓上?，F(xiàn)在供應(yīng)商正研究利用混合接合技術(shù)開發(fā)新形式的HBM，例如低輪廓16晶粒堆疊或3DS堆疊，臺積電則有4層堆疊技術(shù)。

由此可知HBM有幾種封裝選項(xiàng)，此技術(shù)并非適用于所有應(yīng)用，例如對于體積小的裝置HBM不會取代DRAM，但對高性能應(yīng)用HBM卻越來越重要，未來的問題將是，HBM技術(shù)能否趕上處理數(shù)據(jù)需求增加的速度。

SomatXR MX460B-R - 堅固型頻率和脈沖測量模塊

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在發(fā)動機(jī)測試中，堅固型模塊是。因?yàn)榘l(fā)動機(jī)產(chǎn)生振動，泄漏的油會影響放大器功能。 SomatXR MX460B-R與 HBM 扭矩傳感器結(jié)合使用，可確保獲得高分辨率的數(shù)字轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速頻率信號?？梢跃_地分析測量值的變化，包括最大信號帶寬。

堅固型 SomatXR MX460B-R 放大器采樣率高達(dá)100 kS /通道，信號帶寬高達(dá)40 kHz。對于測試臺中的應(yīng)用，該模塊可以進(jìn)行扭轉(zhuǎn)振動分析和差分角度計算，并可實(shí)時轉(zhuǎn)發(fā)計算結(jié)果。

溫度范圍: -40 to +80 °C

IP65/IP67 保護(hù)等級 (防塵, 防水)

抗振動高達(dá) 10 g

抗沖擊高達(dá) 75 g

單機(jī)現(xiàn)場使用

圖片  即使在惡劣環(huán)境下也可獲得 高精度測量結(jié)果。

扭矩，轉(zhuǎn)速，角度，位置或位移信號采集

采樣率高達(dá)100 kS /通道

信號帶寬高達(dá)40 kHz

振動分析

分角計算

圖片  確保測量數(shù)據(jù)安全可靠

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采樣率高達(dá)100 kS /通道

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 圖片  容易集成和擴(kuò)展

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SomatXR 模塊也可以與其他數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) (例如QuantumX). 只需幾個簡單的步驟，您可以定制一個高度個性化的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，滿足您的特定需求。 模塊通過以太網(wǎng) TCP / IP進(jìn)行通信，并使用IEEE 1588（PTPv2）進(jìn)行同步。

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每個測量模塊均可通過以太網(wǎng)連接到 PC 和 catman 測量軟件。 SomatXR數(shù)據(jù)記錄器可以在沒有PC的情況下在現(xiàn)場獨(dú)立使用。 這確保數(shù)據(jù)易于獲取，清晰可視化和智能分析