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等離子體去膠的影響因素

來(lái)源:安徽弛芯生物科技有限公司   2022年04月14日 16:15  
干法式去膠又被稱為等離子去膠,其原理同等離子清洗類似,主要通過(guò)氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來(lái)去除光刻膠,由于光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過(guò)泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。


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溫度對(duì)去膠的影響

就去膠速率和效果而言,溫度對(duì)去膠速率影響最大,溫度越高,反應(yīng)腔內(nèi)氧氣離子越活躍,化學(xué)反應(yīng)越劇烈,去膠效果也越好,但是過(guò)高的加熱溫度,可能對(duì)其基底本身造成損傷,影響基板成品率,并且射頻本身也會(huì)發(fā)熱,所以去膠加熱溫度通常根據(jù)工藝時(shí)間和基板材質(zhì)決定。
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氧氣對(duì)去膠的影響

氧氣作為去膠化學(xué)反應(yīng)中最主要的介質(zhì),氧氣流量的影響很大,氧氣流量大,腔體內(nèi)氧氣活離子密度也就大,與晶元表層光刻膠接觸機(jī)會(huì)也增大,去膠反應(yīng)更快;但氧氣流量太大,腔體內(nèi)氧氣離子密度太高,離子的復(fù)合程度也變高,整個(gè)腔體的電離強(qiáng)度也隨著電子運(yùn)動(dòng)的自由程縮短而降低。因此氧氣流量應(yīng)選擇一個(gè)合適的值。
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射頻頻率的影響

射頻選擇一般通用 13.56MHz 及 2.45GHz,也有用高頻 60MHz和低頻2MHz的。射頻的頻率影響工藝氣體的電離程 度,氧氣形成等離子體的程度會(huì)隨著射頻頻率的增加而變大,但是過(guò)高的頻率,會(huì)導(dǎo)致電子振幅縮短,當(dāng)振幅比電子自由程還短時(shí),電子與氧氣分子碰撞機(jī)率也會(huì)大大降低,影響最終電離率。射頻選擇往往由腔體大小及工藝等決定。
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射頻功率的影響

功率大小的影響,在氧氣流量恒定的情況下,增大射頻功率會(huì)提高腔體內(nèi)活性離子的密度,加大去膠速率,但是腔體內(nèi)需要的活性離子是一定的,當(dāng)功率加大到一定值后,去膠速度便達(dá)到飽和。去膠速度則基本不再增加。并且功率過(guò)大,去膠時(shí)間倘若較長(zhǎng),則導(dǎo)致基片溫度高,影響整體成品率,因此功率大小一般根據(jù)工藝調(diào)節(jié)。
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真空度對(duì)去膠的影響

腔體內(nèi)的真空度影響工藝氣體的電離程度,真空度越高,電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程越大,能量也就越大有利于電離,但是在氧氣流量和功率一定情況下,要提高真空度,必須更換大抽速的泵,大功率泵會(huì)造成氧氣離子密度降低,從而使去膠效果變差



在干法去膠中,溫度對(duì)去膠速率影響最大,其次是射頻功率和氧氣流量,而反應(yīng)壓力對(duì)干法去膠速率影響最小





氧氣流向?qū)θツz效果的影響


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在干法去膠中,一般常用的去膠模式都是低壓加熱去膠,效率高,但需要加熱,并且通常0.6微米左右厚膠的單面去膠工藝。有些IC制造商需要去除大于2微米膠的雙面去膠,并且保證一定均勻性,對(duì)效率不做要求。會(huì)選用等離子清洗設(shè)備進(jìn)行低壓非加熱去膠,其成本低,工藝與等離子清洗類似,不同之處在于反應(yīng)時(shí)間很長(zhǎng),可以完成同時(shí)雙面去膠工藝,而氧氣流向便顯得非常重要。


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