iXblue近紅外1?調(diào)制器: 低半波電壓,超帶寬,高激光承受功率
iXblue Photonics 提供波段在760-1150nm的近紅外相位和強(qiáng)度調(diào)制器,帶寬高達(dá)40GHz
iXblue調(diào)制器的主要特性:
高激光承受功率,高達(dá)25dBm (HOP選項(xiàng))并提供可靠的穩(wěn)定性
低插損:小于2dB(LIL選項(xiàng))
高偏振消光比:大于30dB(HPER選項(xiàng))
超高靜態(tài)消光比:大于60dB (HSER選項(xiàng))
低剩余振幅調(diào)制:大于30dB(LRAM選項(xiàng))
高射頻承受功率:大于33dBm(HEP選項(xiàng))
高帶寬:大于40GHz(WEO-BW選項(xiàng))
高激光承受功率
鈮酸鋰調(diào)制器在短波長(zhǎng)時(shí)更容易受到光折變(Photorefractive)的影響。這個(gè)效應(yīng)限制了調(diào)制器的性能,例如,插損和消光比的穩(wěn)定性,激光承受功率,漂移等。
為了解決該問(wèn)題,iXblue所有的近紅外調(diào)制器均基于X-cut晶向,并且在鈮酸鋰基底上使用質(zhì)子交換工藝。
基于這種新設(shè)計(jì),并且經(jīng)過(guò)無(wú)數(shù)次的驗(yàn)證,iXblue現(xiàn)在可以為近紅外調(diào)制器提供優(yōu)秀的性能,包括:1064nm波長(zhǎng)300mW的承受功率,850nm波長(zhǎng)50mW的承受功率,780nm波長(zhǎng)超過(guò)20mW的承受功率。
除此以外,iXblue依舊提供可選低插損選擇,這使得iXblue相位調(diào)制器NIR-MPX和NIR-MPX800,強(qiáng)度調(diào)制器NIR-MX-LN和NIR-MX800-LN成為提高調(diào)制光輸出功率的*。
300mW NIR-MX強(qiáng)度調(diào)制去輸出光強(qiáng)的穩(wěn)定性
低半波電壓調(diào)制器
iXblue開(kāi)發(fā)了新的射頻電極,用于優(yōu)化X-cut相位調(diào)制器的電-光轉(zhuǎn)化效率。相對(duì)于以前的調(diào)制器,半波電壓Vπ被降低了一倍。
通常來(lái)說(shuō),低半波電壓的調(diào)制器是光譜展寬的關(guān)鍵。iXblue現(xiàn)在推出了新的NIR-MPX-LN-02調(diào)制器,帶寬高達(dá)5GHz并且Vπ小于4V。這種新型調(diào)制器能夠比其他市面上任何調(diào)制器都能產(chǎn)生更多的邊帶,并且同樣保證300mW的承受功率。
NIR-MPX-LN-02半波電壓隨頻率的變化
高帶寬調(diào)制器
鈮酸鋰調(diào)制器的一個(gè)重要特性就是它的超高帶寬,能夠用于產(chǎn)生超快上升和下降沿的光脈沖,iXblue開(kāi)發(fā)了可達(dá)40GHz的NIR-MX-LN-40強(qiáng)度調(diào)制器。
超高帶寬的NIR-MX-40和NIR-MX800-LN-20能夠產(chǎn)生極短上升沿(幾皮秒)的亞納秒級(jí)光脈沖,例如:上升沿7ps的30ps脈寬的脈沖。
對(duì)于方波和任意波形,要求高的脈沖對(duì)比度和快的上升/下降沿,iXblue強(qiáng)度調(diào)制器滿(mǎn)足您各種應(yīng)用的需求。
通過(guò)NIR-MX-LN-40產(chǎn)生的光脈沖
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