SOI芯片光電探測器陣列

來源：四川梓冠光電科技有限公司 2023年08月03日 10:15

SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

〖特性Features〗

n 多通道

Multi-channels

n 高集成度芯片化

Chip based

n 大模擬帶寬

Large electrical bandwidth

〖應用Applications〗

n 光纖傳感

Optical fiber sensor

n 光纖通信

Optical fiber communications

n 激光雷達

LiDAR system

〖性能指標Specifications〗

參數(shù)指標 Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數(shù) Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

相關產(chǎn)品

凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的，應在授權范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
本網(wǎng)轉載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權等法律責任。
如涉及作品內(nèi)容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。

欧美……一区二区三区,欧美日韩亚洲另类视频,亚洲国产欧美日韩中字,日本一区二区三区dvd视频在线