【實驗背景】

置于磁場中的載流體，如果電流方向與磁場垂直，則在垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加的橫向電場，稱為霍爾效應。

如今，隨著半導體物理學的迅速發(fā)展，霍爾系數(shù)和電導率的測量已成為研究半導體材料的主要方法之一。霍爾效應不但是測定半導體材料電學參數(shù)的主要手段，而且隨著電子技術的發(fā)展，利用該效應制成的霍爾器件，由于結(jié)構(gòu)簡單、頻率響應寬(高達10GHz)、壽命長、可靠性高等優(yōu)點，已廣泛用于非電量測量、自動控制和信息處理等方面。

【實驗目的】

1． 通過實驗掌握霍爾效應基本原理，了解霍爾元件的基本結(jié)構(gòu)；

2． 學會測量半導體材料的霍爾系數(shù)、電導率、遷移率等參數(shù)的實驗方法和技術；

3． 學會用“對稱測量法”消除副效應所產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差的實驗方法。

4． 學習利用霍爾效應測量磁感應強度B及磁場分布。

【實驗儀器】

霍爾效應測試儀用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具，主要用于測量電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可。